NTMFS3D0N08XT1G

onsemi
863-NTMFS3D0N08XT1G
NTMFS3D0N08XT1G

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel
1 Channel
80 V
154 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
133 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 115 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 8 ns
Serie: NTMFS3D0N08X
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 24 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Malaysia
Land der Verbreitung:
Japan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PowerTrench Technologie

Die onsemi  PowerTrench Technologie stellt die  Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.

NTMFS3D0N08X n-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Der onsemi NTMFS3D0N08X n-Einkanal-Leistungs-MOSFET ist ein T10-Standard-Gate-MOSFET von 80 V, der sich hervorragend für Cloud-Leistungs-, 5G-Telekommunikations- und andere PSU-Applikationen sowie DC/DC- und Industrieapplikationen eignet. Der NTMFS3D0N08X bietet eine bessere Leistung mit verbessertem Systemwirkungsgrad und hoher Leistungsdichte mit Leistungsmerkmalen unter der Leistungsfähigkeit. Dieser MOSFET bietet einen verbesserten Gesamtwirkungsgrad, verbesserte Schaltverluste, ein reduziertes Schwingen/Überschwingen/Rauschen und eine verbesserte Avalanche-Robustheit in schnellschaltenden Applikationen.

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