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1EDB7275FXUMA1

Name: Infineon 1EDB7275FXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDB7275FXUMA1
Price: 1.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-1EDB7275FXUMA1

Herst.- Nr.:

1EDB7275FXUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Gate-Treiber ISOLATED DRIVER

Datenblatt:

1EDB7275FXUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.34	CHF 1.34
	CHF 0.987	CHF 9.87
	CHF 0.888	CHF 22.20
	CHF 0.791	CHF 79.10
	CHF 0.743	CHF 185.75
	CHF 0.715	CHF 357.50
	CHF 0.705	CHF 705.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.66	CHF 1’650.00
	CHF 0.646	CHF 3’230.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Isolated Gate Drivers
Montageart:	SMD/SMT
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	9.8 A
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	15 V
Anstiegszeit:	8.3 ns
Abfallzeit:	5 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Handelsname:	EiceDRIVER
Artikel # Aliases:	1EDB7275F SP005351350

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Datenblatt

1EDB7275FXUMA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

Einkanal-MOSFET-Gatetreiber-ICs

Die Einkanal-MOSFET-Gatter-Treiber-ICs von Infineon sind ein wesentliches Bindeglied zwischen Steuer-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltern. Die Gatetreiber-ICs von Infineon ermöglichen eine hohe Effizienz auf Systemebene, bieten eine exzellente Leistungsdichte und eine dauerhafte Systemrobustheit.
Mehr erfahren

CoolGaN™ Galliumnitrid-HEMTs

Die CoolGaN™ Galliumnitrid-HEMT von Infineon bieten gegenüber Silizium entscheidende Vorteile, einschließlich hoher Wirkungsgrad, hervorragende Zuverlässigkeit, Leistungsdichte und die höchste Qualität. CoolGaN-Transistoren sind mit der zuverlässigsten Technologie ausgestattet, die für den höchsten Wirkungsgrad und die höchste Leistungsdichte in Schaltnetzteilen ausgelegt ist. Die Bauteile arbeiten mit einer Erweiterungsmodus-Gate-Antriebsvorspannung, die einen Gap-GaN-Gate-Aufbau verwendet, ähnlich wie herkömmliche Silizium-MOSFETs.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.