BUK7Q N-Kanal-MOSFET im MLPAK33-WF Gehäuse

Die Nexperia BUK7Q N-Kanal-MOSFETs im MLPAK33-WF-Gehäuse (SOT8002-3D) verwenden die Trench9-Technologie. Sie sind für Temperaturen bis 175 °C nach AEC-Q101 zertifiziert und bieten einen kleinen Footprint für kompakte Designs. Nexperia BUK7Q verfügt über seitlich benetzbare Flanken, die robuste Lötstellen und eine automatisierte optische Inspektion ermöglichen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 4.9 mOhms 20 V 3.6 V 29 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs BUK7Q8R4-40H/SOT8002/MLPAK33
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Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 57 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 16 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs BUK7Q9R5-40H/SOT8002/MLPAK33
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Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 51 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 14 nC - 55 C + 175 C 47 W Enhancement Reel, Cut Tape
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670Auf Lager
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 73 A 6 mOhms 20 V 3.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 55 A 7.5 mOhms 20 V 3.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape