RV7E035ATTCR1

ROHM Semiconductor
755-RV7E035ATTCR1
RV7E035ATTCR1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET : RV7E035AT is a MOSFET, suitable for switching circuits and High side Load switch.

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Datenblatt:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
Si
SMD/SMT
DFN1212-3
P-Channel
1 Channel
30 V
3.5 A
78 mOhms
20 V
2.5 V
4.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 8.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 2.5 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 9 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Japan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

Der ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET ist ein kompaktes Hochleistungs-Bauteil, das für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist. Der RV7E035AT ist in einem platzsparenden TUMT3-Gehäuse untergebracht und bietet hervorragende Schalteigenschaften und einen niedrigen Einschaltwiderstand, wodurch er sich hervorragend für tragbare und batteriebetriebene Elektronik eignet. Dieser MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung (VDS) von -30 V, einen kontinuierlichen Drainstrom (ID) von -3,5 A und einen niedrigen On-Widerstand [RDS(on)] von nur 47 mΩ bei VGS = -4,5 V, um ein effizientes Leistungsmanagement und eine minimale Wärmeerzeugung zu gewährleisten. Der RV7E035AT von ROHM Semiconductor ist für Hochgeschwindigkeits-Schaltungen optimiert und eignet sich hervorragend für Lastschaltungen, DC-DC-Wandler und Energiemanagementschaltungen in kompakten elektronischen Geräten. Ein robustes Design und ein thermischer Wirkungsgrad unterstützen auch einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen.

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