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RV7E035ATTCR1

Name: ROHM Semiconductor RV7E035ATTCR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV7E035ATTCR1
Price: 0.64 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RV7E035ATTCR1

Herst.- Nr.:

RV7E035ATTCR1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET : RV7E035AT is a MOSFET, suitable for switching circuits and High side Load switch.

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

RV7E035ATTCR1 Datenblatt (PDF)

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	CHF 0.648	CHF 0.65
	CHF 0.40	CHF 4.00
	CHF 0.264	CHF 26.40
	CHF 0.207	CHF 103.50
	CHF 0.177	CHF 177.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.148	CHF 444.00
	CHF 0.135	CHF 810.00
	CHF 0.124	CHF 1'116.00
	CHF 0.122	CHF 2'928.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN1212-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	78 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	4.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns

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Datenblatt

RV7E035ATTCR1 Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

Der ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET ist ein kompaktes Hochleistungs-Bauteil, das für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist. Der RV7E035AT ist in einem platzsparenden TUMT3-Gehäuse untergebracht und bietet hervorragende Schalteigenschaften und einen niedrigen Einschaltwiderstand, wodurch er sich hervorragend für tragbare und batteriebetriebene Elektronik eignet. Dieser MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung (V_DS) von -30 V, einen kontinuierlichen Drainstrom (ID) von -3,5 A und einen niedrigen On-Widerstand [R_DS(on)] von nur 47 mΩ bei V_GS = -4,5 V, um ein effizientes Leistungsmanagement und eine minimale Wärmeerzeugung zu gewährleisten. Der RV7E035AT von ROHM Semiconductor ist für Hochgeschwindigkeits-Schaltungen optimiert und eignet sich hervorragend für Lastschaltungen, DC-DC-Wandler und Energiemanagementschaltungen in kompakten elektronischen Geräten. Ein robustes Design und ein thermischer Wirkungsgrad unterstützen auch einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen.