Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

NVMFWS003N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS003N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS003N10MCT1G
Price: 3.84 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-VMFWS003N10MCT1G

Herst.- Nr.:

NVMFWS003N10MCT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V STD SO8FL HE

Datenblatt:

NVMFWS003N10MCT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NVMFWS003N10MCT1G

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFNW-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	169 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	62 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	194 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	150 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	NVMFWS003N10MC
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	46 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NVMFWS003N10MCT1G Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NVMFWS003N10MC n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Einkanal-Leistungs-MOSFETs NVMFWS003N10MC von onsemi bieten einen Dauersenkenstrom von 169 A, einen R_DS(ON) von 3,1 mΩ bei 10 V und eine Drain-Source-Spannung von 100 V. Der NVMFWS002N10MCL ist in einem Flat-Lead-Gehäuse von 5 mm x 6 mm erhältlich, das für kompakte und effiziente Designs ausgelegt ist. Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET von onsemi ist PPAP-fähig und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.

EMPFOHLENE PRODUKTE

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET

Verfügt über einen niedrigen R_DS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.

Mehr erfahren

NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

Mehr erfahren

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Mehr erfahren

NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

Mehr erfahren

NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

Dieses Bauteil bietet einen niedrigen Q_RR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Mehr erfahren

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 1’498

erwartet ab 26.03.2027
Lieferzeit ab Hersteller:: 53

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 3.84	CHF 3.84
	CHF 2.53	CHF 25.30
	CHF 1.84	CHF 184.00
	CHF 1.56	CHF 780.00
	CHF 1.41	CHF 1’410.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 1.41	CHF 2’115.00

NVMFWS003N10MCT1G

Herst.: onsemi

Beschreibung: MOSFETs PTNG 100V STD SO8FL HE

Technische Daten

Dokumente (3)

Datenblatt

PCN

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

NVMFWS003N10MC n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Andere Kunden kauften auch

EMPFOHLENE PRODUKTE ONSEMI

Verfügbarkeit

Preis (CHF)

Schnellansicht

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V STD SO8FL HE

EMPFOHLENE PRODUKTE

ONSEMI