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PMDXB550UNEZ

Name: Nexperia PMDXB550UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB550UNEZ
Price: 0.68 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PMDXB550UNEZ

Herst.- Nr.:

PMDXB550UNEZ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1216 2NCH 30V .59A

Datenblatt:

PMDXB550UNEZ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.682	CHF 0.68
	CHF 0.47	CHF 4.70
	CHF 0.298	CHF 29.80
	CHF 0.184	CHF 92.00
	CHF 0.136	CHF 136.00
	CHF 0.122	CHF 305.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 0.105	CHF 525.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-1010-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	590 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	670 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	450 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.05 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	4.03 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	600 mS
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4 ns
Artikel # Aliases:	934069326147
Gewicht pro Stück:	1.290 mg

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PMDXB550UNE Doppel-n-Kanal-MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE Doppel-n-Kanal-MOSFET ist ein Surface-Mount-Device mit niedriger Schwellenspannung. Diese 30-V-Feld-Effekt-Transistoren (FET) vom Anreicherungstyp hat ein freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung und ESD-Schutz. Typische Applikationen umfassen Relaistreiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise. Die PMDXB550UNE MOSFET wurde mit Trench-MOSFET-Technologie entwickelt und ist in einem drahtlosen, sehr kleinen DFN1010B-6 (SOT1216) Kunststoff-Gehäuse verfügbar.