STL220N6F7

STMicroelectronics
511-STL220N6F7
STL220N6F7

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

ECAD Model:
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Preis (CHF)

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CHF 1.71 CHF 17.10
CHF 1.19 CHF 119.00
CHF 1.02 CHF 510.00
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CHF 0.853 CHF 7'677.00
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
60 V
260 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
100 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 38ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 43 ns
Serie: STL220N6F7
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 66 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 34 ns
Gewicht pro Stück: 76 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem RDS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on).
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