LMG3100R017VBER

Texas Instruments
595-LMG3100R017VBER
LMG3100R017VBER

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 11.78 CHF 11.78
CHF 8.95 CHF 89.50
CHF 8.58 CHF 214.50
CHF 7.55 CHF 755.00
CHF 7.19 CHF 1'797.50
CHF 6.73 CHF 3'365.00
CHF 6.27 CHF 6'270.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 6.27 CHF 15'675.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-FCRLF-15
1 Driver
1 Output
8 A
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 175 C
LMG3100R017
Reel
Cut Tape
Marke: Texas Instruments
Eingangsspannung – Max: 5.25 V
Eingangsspannung – Min: 4.75 V
Logiktyp: TTL
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 170 uA
Ausgangsspannung: 12 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 1.7 mOhms
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG3100R0x GaN-FETs mit integrierten Treibern

Die Galliumnitrid (GaN)-FETs LMG3100R0x von Texas Instruments mit integrierten Treibern sind GaN-FETs mit 1,7 mΩ und Treiber mit High-Side-Pegelwandler und Bootstrap. Zwei LGM3100-Bauteile können zu einer Halbbrücke zusammengeschlossen werden, ohne dass ein externer Pegelwandler erforderlich ist. Die GaN-FET- und Treiberkomponenten verfügen über einen integrierten  Unterspannungsschutz (UVLO) für die Versorgungsschiene sowie eine interne Bootstrap-Spannungsbegrenzung, um eine Überspannung der Versorgungsspannung (>5,4 V) zu verhindern. Das Bauteil LMG3100R0x von Texas Instruments bietet einen niedrigen Stromverbrauch und eine verbesserte Benutzeroberfläche. Das Bauteil LMG3100R017 ist eine hervorragende Lösung für Applikationen mit hoher Frequenz und Effizienz, einschließlich Auf-/Abwärtswandler, LLC-Wandler, Solarumrichter, Telekommunikation, Motorantriebe, Elektrowerkzeuge und Audioverstärker der Klasse D.