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LMG3100R044VBER

Name: Texas Instruments LMG3100R044VBER
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3100R044VBER
Price: 6.28 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG3100R044VBER

Herst.- Nr.:

LMG3100R044VBER

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 100V 4.4mohm GaN FET with integrated dri

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

LMG3100R044VBER Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 6.28	CHF 6.28
	CHF 4.81	CHF 48.10
	CHF 4.48	CHF 112.00
	CHF 3.95	CHF 395.00
	CHF 3.74	CHF 935.00
	CHF 3.38	CHF 1'690.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 3.38	CHF 8'450.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Gate Drivers
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-15
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.25 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG3100R044
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Entwicklungs-Kit:	LMG3100EVM-089
Eingangsspannung – Max:	5.25 V
Eingangsspannung – Min:	4.75 V
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	35 A
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	70 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.4 mOhms
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

LMG3100R044VBER Datenblatt

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CNHTS:: 8542391090
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG3100R0x GaN-FETs mit integrierten Treibern

Die Galliumnitrid (GaN)-FETs LMG3100R0x von Texas Instruments mit integrierten Treibern sind GaN-FETs mit 1,7 mΩ und Treiber mit High-Side-Pegelwandler und Bootstrap. Zwei LGM3100-Bauteile können zu einer Halbbrücke zusammengeschlossen werden, ohne dass ein externer Pegelwandler erforderlich ist. Die GaN-FET- und Treiberkomponenten verfügen über einen integrierten Unterspannungsschutz (UVLO) für die Versorgungsschiene sowie eine interne Bootstrap-Spannungsbegrenzung, um eine Überspannung der Versorgungsspannung (>5,4 V) zu verhindern. Das Bauteil LMG3100R0x von Texas Instruments bietet einen niedrigen Stromverbrauch und eine verbesserte Benutzeroberfläche. Das Bauteil LMG3100R017 ist eine hervorragende Lösung für Applikationen mit hoher Frequenz und Effizienz, einschließlich Auf-/Abwärtswandler, LLC-Wandler, Solarumrichter, Telekommunikation, Motorantriebe, Elektrowerkzeuge und Audioverstärker der Klasse D.