1EDN7136UXTSA1

Infineon Technologies
726-1EDN7136UXTSA1
1EDN7136UXTSA1

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber LOW SIDE DRIVERS

ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 0.583 CHF 0.58
CHF 0.417 CHF 4.17
CHF 0.374 CHF 9.35
CHF 0.327 CHF 32.70
CHF 0.305 CHF 76.25
CHF 0.292 CHF 146.00
CHF 0.281 CHF 281.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4500)
CHF 0.268 CHF 1'206.00
CHF 0.257 CHF 2'313.00

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Infineon
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Driver ICs - Various
High-Side
SMD/SMT
TSNP-7
1 Driver
1 Output
1 A
4.2 V
11 V
Non-Inverting
5.5 ns
5.5 ns
- 40 C
+ 125 C
1EDN7136
Reel
Cut Tape
Marke: Infineon Technologies
Eingangsspannung – Max: 11 V
Eingangsspannung – Min: 4.2 V
Logiktyp: CMOS
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 109 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 109 ns
Betriebsversorgungsstrom: 2.6 mA
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 109 ns
Verpackung ab Werk: 4500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Artikel # Aliases: 1EDN7136U SP005538839
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Ausgewählte Attribute: 0

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CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

1EDN71x6U 200 V High-Side-TDI-Gate-Treiber

Die 1EDN71x6U 200-V-High-Side-TDI-Gate-Treiber von Infineon Technologies sind einkanalige Gate-Treiber-ICs, die für die Ansteuerung von Infineon CoolGaN™ -Schottky-Gate-HEMTs sowie anderen GaN-SG-HEMTs und Si-MOSFETs optimiert sind. Dieser Gate-Treiber enthält mehrere wichtige Funktionen, die ein leistungsstarkes Systemdesign mit dem GaN SG HEMTs ermöglichen, einschließlich eines echten Differential-Eingangs, vier Treiberstärkungsoptionen, einer aktiven Miller-Klemme und einer Bootstrap-Spannungsklemme.