6ED2230S12TXUMA1

Infineon Technologies
726-6ED2230S12TXUMA1
6ED2230S12TXUMA1

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 1200V, 0.65A 3-Phase BSD, OCP, EN & FAUL

Datenblatt:
ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
DSO-24
6 Driver
6 Output
650 mA
13 V
20 V
Inverting
35 ns
20 ns
- 40 C
+ 125 C
Infineon SOI
Reel
Cut Tape
Marke: Infineon Technologies
Logiktyp: CMOS
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 600 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 600 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 175 uA
Pd - Verlustleistung: 1.3 W
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 900 ns
Abschaltung: Shutdown
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Handelsname: EiceDRIVER
Artikel # Aliases: 6ED2230S12T SP001656578
Gewicht pro Stück: 807.300 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Product Catalogs

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Indonesien
Land der Verbreitung:
Malaysia
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

6ED223xS12T EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon Technologies 6ED223xS12T EiceDRIVER™ Pegelverschiebungs-Gate-Treiber-ICs sind isolierte Hochgeschwindigkeits-Gate-Bipolartransistoren (IGBTs) mit hoher Spannung (bis zu 1.200 V) und drei unabhängigen High-Side- und Low-Side-referenzierten Ausgangskanälen für Dreiphasen-Applikationen. Proprietäre HVIC- und Latch-unempfindliche CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Bauweise. Der Logikeingang ist mit Standard-CMOS- oder TTL-Ausgängen bis hinunter zu einer 3,3-V-Logikschaltung kompatibel. Dieser Widerstand kann auch eine Überstromschutzfunktion (OCP) ableiten, die alle sechs Ausgänge abschließt.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

1.200-V-Pegelverschiebungs-Gate-Treiber

Infineon 1.200 V Pegelverschiebungs-Gate-Treiber für Industrieantriebe umfassen Dreiphasen-, Halbbrücken- und High- und Low-Side-Treiber, die sich für IGBTs oder MOSFETs eignen. Der 6ED2230S12T Dreiphasen-1.200 V-SOI-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode (BSD) und Überstromschutz nutzt die einzigartige Silicon-on-Insulator  (SOI) -Pegelverschiebungstechnologie des Infineon. Der 6ED2230S12T bietet eine funktionale Isolierung mit branchenführender negativer VS-Robustheit. Darüber hinaus bietet das Bauteil reduzierte Pegelverschiebungsverluste mit der integrierten Bootstrap-Diode, die eine geringere Stücklistenkosten und einen kleineren PCB-Footprint ermöglicht.

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CHF -.--
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Preis (CHF)

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CHF 2.81 CHF 28.10
CHF 2.58 CHF 64.50
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