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F3L75R12W1H3B11BPSA1

Name: Infineon F3L75R12W1H3B11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F3L75R12W1H3B11B
Price: 29.61 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-F3L75R12W1H3B11B

Herst.- Nr.:

F3L75R12W1H3B11BPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module

Datenblatt:

F3L75R12W1H3B11BPSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Konfiguration:	Quad
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.45 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	75 A
Pd - Verlustleistung:	275 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	High Speed IGBT H3
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	24
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	EasyPACK
Artikel # Aliases:	F3L75R12W1H3_B11 SP001355698
Gewicht pro Stück:	24 g

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CNHTS:: 8504409190
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ECCN:: EAR99

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Die 1200 V 3-stufigen-IGBT-Module von Infineon Technologies bieten elektrische Leistung und hohe Zuverlässigkeit ohne Einschränkung der Designflexibilität. Die IGBT-Module decken einen Bereich von wenigen hundert Watt bis zu mehreren Megawatt ab. Die 1200 V IGBT-Module sind für 3-stufige-Anwendungen konzipiert.