F3L75R12W1H3B11BPSA1

Infineon Technologies
726-F3L75R12W1H3B11B
F3L75R12W1H3B11BPSA1

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module

Datenblatt:
ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
Screw Mount
Quad
1.2 kV
1.45 V
- 20 V, 20 V
75 A
275 W
- 40 C
+ 150 C
High Speed IGBT H3
Tray
Marke: Infineon Technologies
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 24
Unterkategorie: IGBTs
Handelsname: EasyPACK
Artikel # Aliases: F3L75R12W1H3_B11 SP001355698
Gewicht pro Stück: 24 g
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Datenblatt

Product Catalogs

Test/Quality Data

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Konformitätscodes
CNHTS:
8504409190
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Österreich
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Malaysia
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1200 V 3-stufige IGBT-Module

Die 1200 V 3-stufigen-IGBT-Module von Infineon Technologies bieten elektrische Leistung und hohe Zuverlässigkeit ohne Einschränkung der Designflexibilität. Die IGBT-Module decken einen Bereich von wenigen hundert Watt bis zu mehreren Megawatt ab. Die 1200 V IGBT-Module sind für 3-stufige-Anwendungen konzipiert.

EasyPACK™ 1B-IGBT-Leistungsmodule

Infineon Technologies EasyPACK™ 1 B IGBT Leistungsmodule sind ein skalierbares Leistungsmodul mit einem flexiblen Raster-Stiftsystem, das sich perfekt für die Anpassung des Layouts und der PinbelegungPinbelegung eignet. Die Gehäuse verfügen über keine Basisplatte, was den Einsatz in verschiedenen Applikationen ermöglicht. Die Infineon EasyPACK 1 B IGBT- Leistungsmodule decken den gesamten Leistungsbereich von 20 A bis 100 A bei 600V/650V/1200V in PIM- oder Six-Pack-Konfigurationen ab. Diese Module bieten einen Verlustleistungsbereich Bereich 135 W bis 275 W und arbeiten von -40°C bis +150°C oder +175°C.

Zuverlässige und effiziente Stromversorgung für Rechenzentren

Die zuverlässige und effiziente Stromversorgung für Rechenzentren von Infineon Technologies  umfasst skalierbare Lösungen mit Nennleistungen von ca. 5 kW bis 50/60 kW. Diese Infineon Lösung eignet sich hervorragend für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), die eine hohe Leistungsdichte und Energieeffizienz erfordern. Die Module nutzen verschiedene Chip-Technologien, einschließlich Si-IGBT, CoolSiC™ Hybrid und CoolSiC MOSFET, um verschiedene Anforderungen an Kosteneffizienz und Leistungsfähigkeit zu erfüllen. Das Portfolio von Infineon ist für alle Systemebenen einer USV mit verschiedenen Spannungsklassen ausgelegt und so eingestellt, dass es Angebote erweitert, um niedrigere Nennleistungsklassen einzubeziehen.

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