F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Infineon Technologies
726-F3L8MR12W2M1HPB1
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module

Datenblatt:
ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
Si
SMD/SMT
- 40 C
+ 150 C
M1H
Tray
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: 3-Phase Inverter
Produkt: SiC IGBT Modules
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Verpackung ab Werk: 18
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Handelsname: EasyPACK CoolSiC
Artikel # Aliases: F3L8MR12W2M1HP_B11 SP005562921
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Datenblatt

Product Catalogs

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Konformitätscodes
CNHTS:
8504409100
USHTS:
8541290055
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Österreich
Herstellungsland:
Deutschland
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

1.200-V-CoolSiC™-Module

Infineon Technologies 1.200-V-CoolSiC™-Module sind Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET-Module, die einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Systemflexibilität bieten. Diese Module sind mit Near-Threshold-Schaltungen (NTC) und einer PressFIT-Kontakttechnologie ausgestattet. Die CoolSiC-Module verfügen über eine hohe Stromdichte, erstklassige Schalt- und Leitungsverluste sowie ein Design mit niedriger Induktivität. Diese Module bieten einen Hochfrequenzbetrieb, eine erhöhte Leistungsdichte, eine optimierte Entwicklungszykluszeit und geringe Kosten.

Zuverlässige und effiziente Stromversorgung für Rechenzentren

Die zuverlässige und effiziente Stromversorgung für Rechenzentren von Infineon Technologies  umfasst skalierbare Lösungen mit Nennleistungen von ca. 5 kW bis 50/60 kW. Diese Infineon Lösung eignet sich hervorragend für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), die eine hohe Leistungsdichte und Energieeffizienz erfordern. Die Module nutzen verschiedene Chip-Technologien, einschließlich Si-IGBT, CoolSiC™ Hybrid und CoolSiC MOSFET, um verschiedene Anforderungen an Kosteneffizienz und Leistungsfähigkeit zu erfüllen. Das Portfolio von Infineon ist für alle Systemebenen einer USV mit verschiedenen Spannungsklassen ausgelegt und so eingestellt, dass es Angebote erweitert, um niedrigere Nennleistungsklassen einzubeziehen.

1200 V CoolSiC™-M1H-Module

Infineon Technologies 1.200 V CoolSiC™ M1H Module bieten Entwicklern von EV-Ladegeräten und anderen Wechselrichter die Möglichkeit, um nie dagewesene Effizienz und Leistungsdichten-Niveaus zu erreichen.

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