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726-IAUCN04S7N040HAT MOSFETs
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Halbleiter
Diskrete Halbleiter
Transistoren
MOSFETs
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
PG-TDSON-8
TDSON-8
Zurücksetzen
1 Channel
2 Channel
Zurücksetzen
74 A
82 A
≤
≥
Zurücksetzen
4.01 mOhms
5 mOhms
≤
≥
Zurücksetzen
- 16 V, 16 V
20 V
≤
≥
Zurücksetzen
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Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN04S7N040HATMA1
Infineon Technologies
1:
CHF 1.73
937
Auf Lager
Neues Produkt
Herst. Teilenr.
IAUCN04S7N040HATMA1
Mouser-Teilenr.
726-IAUCN04S7N040HAT
Neues Produkt
Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Mehr erfahren
über Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets
Datenblatt
937
Auf Lager
Cut-Tape
1
CHF 1.73
10
CHF 0.837
100
CHF 0.748
500
CHF 0.594
1’000
Anzeigen
Reel
5’000
CHF 0.493
1’000
CHF 0.569
2’500
CHF 0.549
5’000
CHF 0.493
Kaufen
Min.:
1
Mult.:
1
Rolle
:
5’000
Details
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
82 A
4.01 mOhms
20 V
3 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
52 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
IAUC60N04S6N050HATMA1
Infineon Technologies
1:
CHF 1.75
1’572
Auf Lager
NRND
Herst. Teilenr.
IAUC60N04S6N050HATMA1
Mouser-Teilenr.
726-IAUC60N04S6N050H
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Mehr erfahren
über Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets
Datenblatt
1’572
Auf Lager
Cut-Tape
1
CHF 1.75
10
CHF 0.992
100
CHF 0.713
500
CHF 0.603
1’000
Anzeigen
Reel
5’000
CHF 0.499
1’000
CHF 0.547
2’500
CHF 0.519
5’000
CHF 0.499
Kaufen
Min.:
1
Mult.:
1
Rolle
:
5’000
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
74 A
5 mOhms
- 16 V, 16 V
3 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
52 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
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