IXTX400N20X4

IXYS
747-IXTX400N20X4
IXTX400N20X4

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
Neu von diesem Hersteller.
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:
0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Auf Bestellung:
300
erwartet ab 16.02.2026
300
erwartet ab 10.11.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
47
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Bestellmengen größer als 600 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 20.57 CHF 20.57
CHF 16.83 CHF 168.30
CHF 14.86 CHF 1'486.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
200 V
400 A
3.3 mOhms
20 V
4.5 V
348 nC
- 55 C
+ 175 C
1.36 kW
Enhancement
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 370 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 480 ns
Verpackung ab Werk: 10
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 430 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 150 ns
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000

X4-Class Leistungs-MOSFETs

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei gleichzeitig verbessertem Wirkungsgrad. Diese Leistungs-MOSFETs sind in einem PLUS-Gehäuse erhältlich, das einen höheren Nennstrom und eine höhere Leistungsdichte ermöglicht. Die Leistungs-MOSFETs der X4-Klasse sind pinkompatibel mit dem Standardgehäuse TO-247 und lassen sich leicht aus bestehenden Designs für eine höhere Leistung aufrüsten. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine niedrige Gate-Ladung und einen niedrigen thermischer Widerstand aus. Typische Applikationen sind DC-Lastschalter, Batterieschutz, Batterie-ODER-Schaltungen, Batterieenergie-Speichersysteme und DC/DC-Auf-/Abwärtswandler.