UMZ6.8NUMTL

ROHM Semiconductor
755-UMZ6.8NUMTL
UMZ6.8NUMTL

Herst.:

Beschreibung:
ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden TVS for Surge Prot UMD3F

ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
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CHF 0.226 CHF 2.26
CHF 0.13 CHF 13.00
CHF 0.107 CHF 53.50
CHF 0.095 CHF 95.00
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CHF 0.067 CHF 201.00
CHF 0.064 CHF 384.00
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden
RoHS:  
Unidirectional
2 Channel
5 V
SMD/SMT
6.8 V
SOT-323FL-3
21 pF
8 kV
15 kV
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: ROHM Semiconductor
Produkt: TVS Diodes
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Artikel # Aliases: UMZ6.8NUM
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411029
ECCN:
EAR99

ESD/TVS Diodes

ROHM Semiconductor Electrostatic Discharge (ESD)/ Transient Voltage Suppressor (TVS) diodes are highly reliable protection diodes in ultra-small and small mold types. These include ESD protection diodes, ultra-low capacitance ESD protection diodes, low-capacitance ESD protection diodes, low-capacitance protection devices, bidirectional Zener diodes, bi-directional ESD protection diodes, and TVS diodes. ROHM Semiconductor ESD/TVS diodes are available in various working voltages, diode capacitances, and power dissipation values. These diodes feature unidirectional and bidirectional polarity variants and Surface Mount Device (SMD) termination style.

Schottky-Barriere-Dioden

Die Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor verfügen über eine große Auswahl an Bauteilen mit hoher Zuverlässigkeit und geringem Verlust, und sind in verschiedenen Gehäusen erhältlich. Die Schottky-Dioden bieten eine niedrige Durchlassspannung und Sperrstrom mit hohem ESD-Widerstand. Die thermische Instabilität wird selbst bei hohen Temperaturen abgeblockt, wodurch sie sich hervorragend für Automotive-Systeme und Netzteile eignen. Die Dioden sind standardmäßig oder AEC-Q101-qualifiziert. Die RBE-Dioden verfügen über einen verbesserten Wirkungsgrad und eine niedrige VF. Die Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor benötigen 80 % weniger Platz und bieten eine hohe Strombelastbarkeit.