Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Intelligent Memory Dynamic Random Access Memory (DRAM) includes a full range of JEDEC-compliant DRAMs and ECC DRAMs (SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4, LPDDR4). From an application's point of view, these components work like a monolithic device. The DRAM devices allow for maximum levels of memory density without altering existing board layouts or designs.

Arten von Speicher und Datenspeicherung
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Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 256Mx16, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
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81Auf Lager
418erwartet ab 20.03.2026
Min.: 1
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Intelligent Memory DRAM DDR2 512Mb, 1.8V, 32Mx16, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-84
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209Auf Lager
Min.: 1
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Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
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241Auf Lager
Min.: 1
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Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
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43Auf Lager
Min.: 1
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Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86
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284Auf Lager
Min.: 1
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Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 256Mb, 3.3V, 8Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86
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176Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
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79Auf Lager
Min.: 1
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Intelligent Memory Speichermodule Speichermodule, DDR3, DIMM, 16GB, x72, 240pin UDIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
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4Auf Lager
Min.: 1
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Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 4Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86
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364Auf Lager
Min.: 1
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Intelligent Memory DRAM ECC DDR2, 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
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111Auf Lager
Min.: 1
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Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 16Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86
Datenblatt
144Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 256Mx16, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
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412erwartet ab 25.02.2026
Min.: 1
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Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
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232erwartet ab 01.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
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216erwartet ab 27.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
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108erwartet ab 22.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Intelligent Memory DRAM DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 2Gb, 1.35V/1.5V, 128Mx16, 800MHz (1600Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
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Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
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Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
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Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Intelligent Memory Speichermodule Speichermodule, DDR3, DIMM, 16GB, x64, 240pin UDIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, Non-ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Intelligent Memory Speichermodule Speichermodule, DDR3, SODIMM, 16GB, x64, 204pin SODIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, Non-ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1