BM61x Gate-Treiber

Die BM61x Gate-Treiber von ROHM Semiconductor bieten eine galvanische Einkanal-Trennung mit einer Isolationsspannung von 3.750 Vrms und einer I/O-Verzögerungszeit von 65 ns. Diese Gate-Treiber verfügen über eine aktive Miller-Klemmfunktion und eine Unterspannungssperrfunktion (UVLF). Die BM61x Gate-Treiber werden in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C und einem eingangsseitigen Versorgungsspannungsbereich von 4,5 V bis 5,5 V betrieben. Diese Gate-Treiber arbeiten bei einem Ausgangsstrom von 4 A, einer maximalen Sperrschichttemperatur von +150 °C und einer minimalen Eingangsimpulsbreite von 60 ns. Die BM61x Gate-Treiber von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für den Antrieb von SiC-MOSFETs.

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ROHM Semiconductor IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Evaluation board for BM61M22BFJ: The BM61M22BFJ-EVK001 board can be driving MOSFET and IGBT Power Devices. The Input-side power supply voltage is from 4.5 to 5.5 V. The output-side power supply is from 9 to 24 V. The BM61M22BFJ-C has Power Supply pro 47Auf Lager
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Evaluation Boards IGBT Driver, MOSFET Driver 4.5 V to 5.5 V 9 V to 24 V BM61M22BFJ-C
ROHM Semiconductor IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Evaluation board for BM61M22BFJ: The BM61M22BFJ-EVK002 board can be driving two MOSFET and IGBT Power Devices such as for High-side and Low-side on Half Bridge application. The Input-side power supply voltage is from 4.5 to 5.5 V. The output-side pow 19Auf Lager
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Evaluation Boards IGBT Driver, MOSFET Driver 4.5 V to 5.5 V 9 V to 24 V BM61M22BFJ-C