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MAPC-A3005-ASSB1

Name: MACOM MAPC-A3005-ASSB1
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3005-ASSB1
Price: 1421.76 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

937-MAPC-A3005-ASSB1

Herst.- Nr.:

MAPC-A3005-ASSB1

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

RF-Entwicklungstools Application & Test Fixture, MAPC-A3005

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

MAPC-A3005-ASSB1 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	RF-Entwicklungstools
RoHS:
Produkt:	Add-On Boards
Typ:	RF Transistor
Tool für die Evaluierung von:	MAPC-A3005-AS
Frequenz:	DC to 8 GHz
Marke:	MACOM
Produkt-Typ:	RF Development Tools
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools

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USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.