AT28C256-25DM/883

Microchip / Microsemi
556-28C256-25DM/883
AT28C256-25DM/883

Herst.:

Beschreibung:
EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS 883C
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Datenblatt:
ECAD Model:
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Microchip
Produktkategorie: EEPROM
Versandbeschränkungen:
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RoHS:  
256 kbit
Parallel
32 k x 8
CDIP-28
150 ns
4.5 V
5.5 V
Through Hole
10 Year
- 55 C
+ 125 C
AT28C256
Tube
Max. aktiver Lesestrom: 50 mA
Marke: Microchip / Microsemi
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 50 mA
Betriebsversorgungsspannung: 2.7 V, 3.6 V
Zugangszeit Ausgabefreigabe: 100 ns
Produkt-Typ: EEPROM
Verpackung ab Werk: 14
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.: 50 mA
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
JPHTS:
8542320393
TARIC:
8542327500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A001.a.2.c
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

AT28C256 256-kBit-EEPROM-Speicher

Microchip AT28C256 256-kBit-EEPROM-Speicherbausteine sind leistungsstarke elektrisch-löschbare und programmiere Nur-Lese-Speicher (EEPROM). Der EEPROM-Speicher mit 256 kBit ist in 32.768 Wörter von jeweils 8-Bit organisiert. Diese Bausteine sind mit der erweiterten nichtflüchtigen CMOS-Technologie von Atmel hergestellt und bieten eine Zugriffszeit von 150 ns mit 440 mW Leistungsverlust. Der Zugriff auf die AT28C256 Speicherbausteine erfolgt wie bei statischen RAMs für den Lese- oder Schreibzyklus, ohne dass externe Komponenten erforderlich sind. Diese AT28C256 Bausteine enthalten ein 64-Byte-Seitenregister zum Schreiben von bis zu 64 Byte gleichzeitig. Die EEPROM-Bausteine verwenden eine interne Fehlerkorrektur für eine längere Endurance und bessere Datenhaltungseigenschaften. 

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