FM25V02A-DGTR

Infineon Technologies
727-FM25V02A-DGTR
FM25V02A-DGTR

Herst.:

Beschreibung:
F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial

ECAD Model:
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 5.28 CHF 5.28
CHF 4.93 CHF 49.30
CHF 4.91 CHF 122.75
CHF 4.78 CHF 1'195.00
CHF 4.68 CHF 2'340.00
CHF 4.57 CHF 4'570.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 4.39 CHF 13'170.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Tube
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 5.75
Min:
1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: F-RAM
RoHS:  
256 kbit
SPI
25 MHz, 40 MHz
32 k x 8
DFN-8
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM24V02
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: FRAM
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Gewicht pro Stück: 125.882 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

WICED IoT-Plattform

Die Cypress Semiconductor WICED IoT-Plattform ist ein Portfolio von drahtlosen Technologien, die von Wi-Fi® und Bluetooth® bis zu MCUs reichen und für das IoT ausgelegt sind. Diese entwicklungsbereiten sicheren Produkte optimieren und vereinfachen Designs. Cypress hat über 20 Ökosystem-Partner, die daran arbeiten anhaltende Designprobleme zu lösen.  

Nichtflüchtiger serieller F-RAM Speicher

Die F-RAM-Speicher (Ferroelectric RAM) von Cypress Semiconductor vereinen nichtflüchtige Speicherkapazität von ROM mit der hohen Geschwindigkeit von RAM. Das serielle F-RAM zeichnet sich durch zahlreiche Schnittstellen- und Dichte-Optionen, einschließlich SPI und I2C-Schnittstellen, branchenübliche Gehäuse und Speicherdichten von 4KB bis 4MB aus. Die seriellen F-RAMs von Cypress bieten drei entscheidende Vorteile gegenüber anderen nichtflüchtigen Speichertechnologien: hohe Schreibgeschwindigkeit, extrem hohe Ausdauer und geringen Stromverbrauch. Das serielle F-RAM hält 100 Billionen Zyklen durch, was die Schreibzyklen-Grenze von 1 Million bei EEPROM überschreitet. Die Notwendigkeit eines Verschleißausgleichs zur Unterstützung eines Produkts über seine Lebensdauer fällt damit weg.