Fast Async SRAMs

Infineon Technologies Fast Async SRAMs include product offerings ranging from 64Kbit up to 32Mbit. Fast SRAMs are available in industry-standard voltage, bus-width, and package options. Developed using Infineon's high-performance CMOS technology, these devices offer fast access times (8ns to 12ns), making them an ideal choice in applications such as switches and routers, IP phones, test equipment, DSLAM cards, and automotive electronics. In addition, Infineon Fast Asynchronous SRAMs are available in industrial and automotive temperature grades.

Ergebnisse: 30
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Infineon Technologies SRAM Async SRAMS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1'080
Mult.: 1'080

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54 Tray
Infineon Technologies SRAM 512Kb 10ns 32K x 16 Fast Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

512 kbit 32 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 80 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies CY7C1051H30-10BVXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
Rolle: 2'000

Reel
Infineon Technologies CY7C1051H30-10BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 2'400
Mult.: 2'400

Tray