NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
GSI Technology SRAM NBT SRAMs, 9Mb, x32, 333MHz, Industrial Temp
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 36
Mult.: 36

9 Mbit 256 k x 32 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM NBT SRAMs, 9Mb, x32, 150MHz, Industrial Temp
Datenblatt
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Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 256 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 130 mA, 145 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM NBT SRAMs, 9Mb, x32, 250MHz, Industrial Temp
Datenblatt
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Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 256 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 160 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M
Datenblatt
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Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 110 mA, 125 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Datenblatt
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Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M
Datenblatt
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Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Datenblatt
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Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 256 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 155 mA, 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M
Datenblatt
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Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 256 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 140 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Datenblatt
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Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 256 k x 36 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 225 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Datenblatt
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Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 256 k x 36 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 185 mA, 245 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Datenblatt
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Min.: 36
Mult.: 36

9 Mbit 256 k x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Datenblatt
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Min.: 36
Mult.: 36

9 Mbit 256 k x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M
Datenblatt
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Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 130 mA, 145 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M
Datenblatt
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Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 145 mA, 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M
Datenblatt
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Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 256 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 160 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Datenblatt
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Min.: 66
Mult.: 66
9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 135 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Datenblatt
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Min.: 66
Mult.: 66
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 66
Mult.: 66
9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 145 mA, 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
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Min.: 36
Mult.: 36
9 Mbit 512 k x 18 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 225 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 36
Mult.: 36
9 Mbit 512 k x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 185 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
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Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 120 mA, 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 105 mA, 115 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 155 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray