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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Serie Speichergröße Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Max. aktiver Lesestrom Schnittstellen-Typ Maximale Taktfrequenz Organisation Datenbus-Weite Timing-Typ Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Qualifikation Verpackung
Infineon Technologies NOR-Flash IC 256 Mb FLASH MEMORY Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 256 Mb FLASHMEM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'200
Mult.: 1'200

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 705
Mult.: 705

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 705
Mult.: 705

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3'380
Mult.: 3'380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3'380
Mult.: 3'380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1'690
Mult.: 1'690

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3'380
Mult.: 3'380

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 676
Mult.: 676

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'400
Mult.: 2'400

SMD/SMT S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'450
Mult.: 1'450
Rolle: 1'450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'400
Mult.: 2'400

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512M FLASH MEMORY Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'450
Mult.: 1'450
Rolle: 1'450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'450
Mult.: 1'450
Rolle: 1'450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'450
Mult.: 1'450
Rolle: 1'450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'450
Mult.: 1'450
Rolle: 1'450

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel