Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Tray
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-32 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500
4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 64M 3V 4048k x 16 LP Asynch SRAM IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Alliance Memory SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-44 Reel
Alliance Memory SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Reel