8 bit DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 256 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR82560C
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400F

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000
SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000
SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000
SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR3L, 1Gb, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Commercial Temp, T&R, C Die
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 128 M x 8 225 ps 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR3L, 1Gb, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Industrial Temp, T&R, C Die
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 128 M x 8 225 ps 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, AUTOMOTIVE temp - Tape & Reel
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500
SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 256 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C Reel
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 128Mx8 DDR3 A-Temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 128 M x 8 225 ps 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C AS4C128M8D3LB Reel