ISSI DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 512M 32Mx16 333MHz DDR2 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320E Tray
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 256 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR82560C
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 171
Mult.: 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 16 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 16 1.14 V 1.95 V 0 C + 85 C IS43LD16128B Bulk
ISSI DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 171
Mult.: 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-134 128 M x 16 1.14 V 1.95 V 0 C + 85 C IS43LD16128B Bulk
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 171
Mult.: 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-134 64 M x 32 1.14 V 1.95 V 0 C + 85 C IS43LD32640B Bulk
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 171
Mult.: 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-134 64 M x 32 1.14 V 1.95 V 0 C + 85 C IS43LD32640B Bulk
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM Mobile - LPDDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160H
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16160H
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160H Reel
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Datenblatt
Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 5

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
Rolle: 1'500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
Rolle: 1'500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Reel