ISSI DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
Rolle: 1'500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
Rolle: 1'500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143Mhz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143Mhz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 286
Mult.: 286

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS42S16100H
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 348
Mult.: 348

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 348
Mult.: 348

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C IS46R16160D Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C IS46R16160D Tray
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
Rolle: 2'000

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
Rolle: 1'500

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 171
Mult.: 171

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray