ISSI DRAM

Ergebnisse: 1'807
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190
SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16128C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500
SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IS43QR16256B Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IS43QR16256B Reel
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS46TR16640ED
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS Nicht auf Lager
Min.: 136
Mult.: 1
SDRAM - DDR3 16 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 1 G x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16K01S2L

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht auf Lager
Min.: 2'500
Mult.: 2'500

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 1.65 V 1.95 V

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht auf Lager
Min.: 2'500
Mult.: 2'500

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 2.7 V 3.6 V
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
Rolle: 1'500
SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16128C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM Mobile BGA-54 IS42SM16800H Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM Mobile BGA-54 IS42SM16800H Reel
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

SDRAM Mobile BGA-54 IS42VM16800H Reel