CA DRAM

Ergebnisse: 2’977
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
Datenblatt
65Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-96 512 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IM8G16D4 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 64Mx16, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
Datenblatt
282Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 667 MHz FBGA-96 64 M x 16 300 ps 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IME1G16D3 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x,8Gb,256Mx32,2133MHz (4266Mbps),0.6V,FBGA-200,-40C to +85C
Datenblatt
136Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,32Gb,1024Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
Datenblatt
140Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,32Gb,1024Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
Datenblatt
144Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
LPDDR4or4x Combo Tray
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Datenblatt
807Auf Lager
864erwartet ab 17.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 683

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
555Auf Lager
240erwartet ab 17.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 202

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
529Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 127

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
Datenblatt
244Auf Lager
816Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 291

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Datenblatt
105Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 42

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
264Auf Lager
136erwartet ab 17.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 165

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Datenblatt
272Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 93

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
1’887Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
817Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 353

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
Micron MT53E1G32D2FW-046 AAT:C
Micron DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 AT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
233Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 233

SDRAM Mobile - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 1 G x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Micron MT53E1G32D2FW-046 IT:C
Micron DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 IT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
1’522Auf Lager
1’198erwartet ab 16.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 1 G x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray
Micron MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C
Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 IT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
463Auf Lager
2’720erwartet ab 23.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 463

SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 16 bit 2.133 GHz TFBGA-200 1 G x 16 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray
Micron MT53E512M32D1ZW-046BWT:B
Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 WT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
685Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 685

SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 16 bit 2.133 GHz TFBGA-200 512 M x 32 1.7 V 1.95 V - 25 C + 85 C Tray
Micron MT53E768M16D1ZW-046 WT:C
Micron DRAM LPDDR4 12Gbit 16 200/264 TFBGA 1 WT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
989Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 989

SDRAM Mobile - LPDDR4 12 Gbit 16 bit 2.133 GHz TFBGA-200 768 M x 16 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHV040
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
520Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies S27KL0642DPBHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
4’823Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2’500

Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies S27KL0642DPBHI023
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
6’745Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2’500

Reel, Cut Tape, MouseReel
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial
Datenblatt
210Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V 0 C + 85 C KTDM Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial
Datenblatt
210Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
Datenblatt
37Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 16 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray