ISSI SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
ISSI SRAM 256K,High-Speed,Async,32K x 8,12ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
Rolle: 2'000

256 kbit 32 k x 8 12 ns 83 MHz Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,512K x 8,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,512K x 8,25ns,5v,32 Pin sTSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
Rolle: 2'000

4 Mbit 512 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,512K x 8,25ns,5v,32 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

4 Mbit 512 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480
1.65 V 90 mA + 85 C BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

1.65 V 90 mA + 85 C BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

1.65 V 90 mA + 85 C BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
Rolle: 1'500

1.65 V 90 mA + 85 C BGA-48 Reel
ISSI SRAM 32Mb,High-Speed,Async,2Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

2.2 V 1.67 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 32Mb,High-Speed,Async,2Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

2.2 V 1.67 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 32Mb,High-Speed,Async,2Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
Rolle: 1'500

2.2 V 1.67 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
Rolle: 1'500

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

16 Mbit 2 M x 8 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
Rolle: 1'500

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48