Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Liechtenstein

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Arten von diskreten Halbleitern

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STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor

11.07.2025

- Basiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.

STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

10.28.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist.

STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA Fahrzeug Leistungsmodul

09.26.2025

- Bietet eine Sixpack Topologie mit NTC für die DC/DC-Wandler Stufe des OBC in Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA Fahrzeug-Leistungsmodul

09.26.2025

- Bietet eine 3-Phasen 4-wire PFC -Topologie mit integriertem NTC für den OBC in Hybrid- & Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2

05.22.2025

- Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.

STMicroelectronics ESDAxWY Unidirektionaler Automotive-ESD-Schutz

01.10.2025

- TVS zum Schutz empfindlicher Elektronik in rauen Umgebungen.

STMicroelectronics TN8050H-12WL Hochtemperatur-SCR-Thyristor

01.01.2025

- Geeignet für Industrieapplikationen, die eine hohe Immunität bei niedrigerem Gatestrom erfordern.

STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit Diode

12.24.2024

- Kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrücken-Topologie.

STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4 Bidirektionale Einzelleitungs-TVS-Diode

10.14.2024

- Das Bauteil ist zum Schutz von Datenleitungen oder anderen I/O-Anschlüssen gegen ESD-Überspannungen ausgelegt.

STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y Ultra-schnelles 600-V-Brückenmodul

10.08.2024

- Eignet sich für den Einsatz in Ladeapplikationen, entweder im Fahrzeug oder in einer Ladestation integriert.

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

09.12.2024

- Mit einem fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.

STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

09.12.2024

- Mit einem fortschrittlichen Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.

STMicroelectronics ESDA5WY Unidirektionaler Automotive-ESD-Schutz

09.10.2024

- Unidirektionaler Automotive-Transientenspannungsschutz (TVS), der für raue Umgebungen ausgelegt ist.

STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR Automotive-Hochspannungsgleichrichter

08.09.2024

- Qualitativ hochwertiges Design mit konsistent reproduzierbaren Eigenschaften und intrinsischer Robustheit.

STMicroelectronics MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

07.22.2024

- 800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.

STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe

07.03.2024

- 1200 V, 40 A, verlustarm, niedriger thermischer Widerstand und in einem TO-247-Gehäuse mit langer Anschlussleitung erhältlich.

STMicroelectronics STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

12.01.2023

- Sie sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V.

STMicroelectronics STGD4H60DF 600 V 4 A Hochgeschwindigkeits-IGBT der H-Baureihe

10.31.2023

- Mit einer fortschrittlichen trench-gate-field-stop-Struktur ausgelegt.

STMicroelectronics ACEPACK-DMT-32-Leistungsmodul M1F45M12W2-1LA

10.19.2023

- Entwickelt für die DC/DC-Wandlerstufe von Hybrid- und Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

10.01.2023

- Verwendet MDmesh K6-Technologie auf Basis von 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie.

STMicroelectronics SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET

08.18.2023

- Automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑Brückentopologie-Leistungs-MOSFET mit 650 V Sperrspannung.

STMicroelectronics STPSTxH100/Y Trench-Leistungs-Schottky-Dioden

06.29.2023

- Erfüllt die Effizienzanforderungen bei hohen Schaltfrequenzen.

STMicroelectronics STL120N10F8 100-V-n-Kanal-STripFET-MOSFET

05.08.2023

- Das Bauelement nutzt die STripFET-F8-Technologie von ST, die eine verbesserte Trench-Gate-Struktur aufweist.

STMicroelectronics LEO (Low Earth Orbit) Rad-Hard-ICs

04.04.2023

- Kombination aus Kosteneffizienz, Strahlenhärte, Qualitätssicherung und Liefermenge.

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Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

02.03.2026

- Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden

01.13.2026

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden

01.08.2026

- Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs

12.19.2025

- Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren

12.01.2025

- DTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

Bourns SMLJ-R Transientenspannungsschutzdioden

11.24.2025

- Für Überspannungs- und ESD-Schutz im kompakten DO-214AB Chip-Gehäusegrößenformat (SMC) entwickelt.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11.24.2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.20.2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

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