Angewendete Filter:
onsemi NST817 Universal-NPN-Transistoren
03.03.2025
03.03.2025
Eine zuverlässige Lösung für Schaltungsdesigns, die einen effizienten und wirksamen Transistorbetrieb erfordern.
onsemi NST807 Universal-PNP-Transistoren
03.03.2025
03.03.2025
Leistungsstarke, zuverlässige Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung und schnellen Schaltgeschwindigkeiten
onsemi NSVT5551M Bipolartransistor
01.04.2025
01.04.2025
AEC-Q101-qualifizierter NPN-Allzweckverstärker mit niedriger VCE(sat).
onsemi NSS100xCL Universal-Transistoren mit niedrigem VCE (sat)
12.20.2024
12.20.2024
Hochleistungs-Sperrschicht-Bipolartransistoren, die für Fahrzeuganwendungen und anspruchsvolle Applikationen konzipiert sind.
onsemi MJD31C Bipolartransistoren
11.16.2024
11.16.2024
Entwickelt für Universalverstärker und Applikationen mit niedriger Schaltgeschwindigkeit.
onsemi NST856MTWFT PNP-Transistoren
10.22.2024
10.22.2024
65 V, 100 mA Bauteile, die für Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt sind.
onsemi BCP56M NPN-Transistor im mittleren Leistungsbereich
10.18.2024
10.18.2024
Für Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt und in einem DFN2020-3-Gehäuse untergebracht.
onsemi BCP53M PNP-Transistor im mittleren Leistungsbereich
10.18.2024
10.18.2024
Für Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt und in einem DFN2020-3-Gehäuse untergebracht.
onsemi BC846BPDW1 Bipolartransistoren
10.17.2024
10.17.2024
Für stromsparende oberflächenmontierbare Applikationen ausgelegt, die im SOT-363/SC-88-Gehäuse untergebracht sind.
onsemi NST846MTWFT NPN-Transistor
10.07.2024
10.07.2024
Wird bei 65 V, 100 mA betrieben und ist für Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt.
onsemi NSS40300CT Bipolartransistoren
10.07.2024
10.07.2024
Verfügen über eine niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) und eine hohe Stromverstärkungsleistung.
onsemi NSV1C300CT Bipolarleistungstransistor
10.04.2024
10.04.2024
Verfügen über eine niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) und eine hohe Stromverstärkungsleistung.
onsemi e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung
07.01.2024
07.01.2024
Diese SMD-Bauteile zeichnen sich durch eine extrem niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) und hohe Stromverstärkungsfähigkeit aus.
onsemi MSD1819A-R Universal-Transistor mit niedriger VCE
01.30.2024
01.30.2024
Für Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt und verfügt über eine niedrige VCE <0,5 V.
onsemi NSV40301MZ4 Bipolarer Leistungstransistor
12.29.2023
12.29.2023
NPN-Transistor mit einer Kombination aus niedriger Sättigungsspannung und niedriger VCE (sat) mit hohem Gain.
onsemi MJK44H11T Universal-Transistoren
02.10.2023
02.10.2023
Für die Anforderungen einer großen Auswahl von Leistungs- und Schaltapplikationen ausgelegt.
onsemi MJK31CT Universal- und Niedrig-VCE(sat)-Transistoren
02.10.2023
02.10.2023
Ideal für Leistungs- und Schaltapplikationen in verschiedenen Branchen.
onsemi NST160xCL 160 V 1,5 A NPN-Bipolartransistoren
04.09.2022
04.09.2022
Sperrschicht-Bipolartransistor mit Hochstrom, niedriger Sättigungsspannung und hoher Schaltgeschwindigkeit.
Ansicht: 1 - 18 von 18
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
10.31.2025
10.31.2025
The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
10.31.2025
10.31.2025
The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.
Diodes Incorporated DXTP80x PNP-Bipolartransistoren
09.18.2025
09.18.2025
Die PNP-Bipolartransistoren bieten eine kleine Baugröße und ein thermisch effizientes PowerDI-3333-8-Gehäuse.
Diodes Incorporated DXTN80x NPN-Bipolartransistoren
09.17.2025
09.17.2025
Bietet ein kleines, thermisch effizientes PowerDI 3333-8-Gehäuse für Produkte mit höherer Dichte.
Nexperia MJPEx Bipolare Sperrschichttransistoren (BJTs)
08.26.2025
08.26.2025
Das CFP15B-Gehäuse bietet eine kompakte und kostengünstige Alternative zur Baureihe MJD im DPAK-Gehäuse.
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1,5 A 160 V Leistungstransistor
08.06.2025
08.06.2025
Ein Leistungstransistor mit niedrigem VCE(sat); eignet sich als Niederfrequenzverstärker.
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 1,5 A 160 V PNP-Leistungstransistor
08.06.2025
08.06.2025
Ein Leistungstransistor mit niedrigem VCE(sat); eignet sich als Niederfrequenzverstärker.
Taiwan Semiconductor BC807-25H & BC807-40H PNP Transistors
07.10.2025
07.10.2025
300mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BC846BWH & BC847B/CWH NPN Transistors
07.10.2025
07.10.2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BC85xBWH & BC857WH PNP Transistors
07.10.2025
07.10.2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BC846BH & BC847B/CH NPN Transistors
07.10.2025
07.10.2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Diotec Semiconductor BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor
05.15.2025
05.15.2025
Features three current gain groups in a SOT-23 package and complies with RoHS and REACH.
Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs
03.05.2025
03.05.2025
Enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge.
onsemi NST817 Universal-NPN-Transistoren
03.03.2025
03.03.2025
Eine zuverlässige Lösung für Schaltungsdesigns, die einen effizienten und wirksamen Transistorbetrieb erfordern.
onsemi NST807 Universal-PNP-Transistoren
03.03.2025
03.03.2025
Leistungsstarke, zuverlässige Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung und schnellen Schaltgeschwindigkeiten
Diotec Semiconductor BC817K General-Purpose NPN Transistor
01.31.2025
01.31.2025
AEC-Q101-qualified device with three current-gain selections, ideal for signal processing use.
Diotec Semiconductor BC846PN General-Purpose NPN + PNP Transistor
01.13.2025
01.13.2025
Features two complementary transistors in 1 package, ideal for signal processing and amplification.
Diotec Semiconductor BCX56 SMD General-Purpose NPN Transistor
01.13.2025
01.13.2025
Offers high collector current, low saturation voltage, and two current gain groups.
onsemi NSVT5551M Bipolartransistor
01.04.2025
01.04.2025
AEC-Q101-qualifizierter NPN-Allzweckverstärker mit niedriger VCE(sat).
Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen
12.30.2024
12.30.2024
AEC-Q101 qualifizierte PNP-Transistoren in einem ultradünnen DFN2020D-3 (SOT1061D) SMD-Kunststoffgehäuse.
onsemi NSS100xCL Universal-Transistoren mit niedrigem VCE (sat)
12.20.2024
12.20.2024
Hochleistungs-Sperrschicht-Bipolartransistoren, die für Fahrzeuganwendungen und anspruchsvolle Applikationen konzipiert sind.
Nexperia BC869-Q Leistungstransistoren
12.11.2024
12.11.2024
PNP-Mittelleistungstransistoren in einem SOT89 (SC-62)-Gehäuse mit flachen Sperrschichtdrähten aus Kunststoff.
onsemi MJD31C Bipolartransistoren
11.16.2024
11.16.2024
Entwickelt für Universalverstärker und Applikationen mit niedriger Schaltgeschwindigkeit.
Diodes Incorporated DXTN69060C 60 V-NPN-Transistoren m. niedriger VCE
11.14.2024
11.14.2024
Verfügt über eine proprietäre Struktur für eine extrem niedrige VCE (SAT)-Leistung.
onsemi NST856MTWFT PNP-Transistoren
10.22.2024
10.22.2024
65 V, 100 mA Bauteile, die für Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt sind.
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