Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Liechtenstein

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Arten von diskreten Halbleitern

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Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06.30.2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs

04.16.2025

- Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.

Micro Commercial Components (MCC) 600V MSJL120N60FH MOSFET

02.12.2025

- Uses superjunction technology and a FRED body diode to facilitate high-speed switching and recovery.

Micro Commercial Components (MCC) 40V MCACLF320N04Y N-Channel Power MOSFET

02.12.2025

- High efficiency and reliable MOSFET designed for diverse high-power applications.

Micro Commercial Components (MCC) ZENER SMAF Diodes

02.12.2025

- Feature a compact design, high-temperature resilience, and a 6.2V to 100V wide voltage range.

Micro Commercial Components (MCC) Super-Low Capacitance Dual Line ESD Diodes

02.07.2025

- Ultra-low capacitance 3.3V and 5V ESD diodes with snapback technology and high-power TVS.

Micro Commercial Components (MCC) UG2xHL Super Fast Recovery Rectifiers

01.02.2025

- 2A, 200V to 600V rectifiers, designed to minimize energy losses in high-frequency applications.

Micro Commercial Components (MCC) MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs

12.30.2024

- Three advanced 600V components, engineered for low losses, fast switching, and high efficiency.

Micro Commercial Components (MCC) ESDSBHCx Single Line ESD Diodes

12.30.2024

- 4.5V and 6.3V ESD diodes with bidirectional snapback design in a compact DFN1610-2 package.

Micro Commercial Components (MCC) MIS80N120NT1YHE3 1.200-V-Trench-Field-Stop-IGBT

11.28.2024

- Made for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.

Micro Commercial Components (MCC) MCTL2D0N10YHR 100 V n-Kanal-MOSFET

11.25.2024

- Wide SOA and low RDS(on) efficient and reliable solution for linear mode operation.

Micro Commercial Components (MCC) 5000W TVS Diodes

11.22.2024

- Designed to provide superior protection against transient voltage spikes.

Micro Commercial Components (MCC) ESD-Dioden mit sehr niedriger Kapazität

11.15.2024

- Feature 2.9V clamping voltage and 0.2pF ultra-low capacitance for shielding devices from ESD.

Micro Commercial Components (MCC) 150W TVS Diodes

11.04.2024

- Protects from overvoltage in a low-profile package with an 8.5V to 90V range.

Micro Commercial Components (MCC) 600 V n-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFETs

10.04.2024

- Verfügen über einen niedrigen On-Widerstand, einen geringen Leitungsverlust und ein sanftes Schalten mit schneller Sperrverzögerungsdiode.

Micro Commercial Components (MCC) MCU1K4N95SH n-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET

10.03.2024

- Verfügt über eine niedrige Gate-Drain-Ladung, reduziert Leitungsverluste und verstärkt den Gesamtwirkungsgrad.

Micro Commercial Components (MCC) ESDULCx Automotive-ESD-Schutzbauteile

09.27.2024

- Für eine einzelne Daten- oder Stromleitung ausgelegt und bietet eine außergewöhnliche Leistung für moderne Applikationen.

Micro Commercial Components (MCC) SM6S24AHE3 TVS Diode

09.18.2024

- Für einen unablässigen Überspannungsschutz in einem kompakten DO-218AB-2-Gehäuse ausgelegt.

Micro Commercial Components (MCC) MCGL2D1N03YL n-Kanal-MOSFET

09.04.2024

- 30-V-Leistungs-MOSFET, der für eine gute thermische Leistungsfähigkeit mit geringen Leistungsverlusten ausgelegt ist.

Micro Commercial Components (MCC) SICW0x 1.200-V-SiC-n-Kanal-MOSFETs

09.03.2024

- Verstärken die Leistungsfähigkeit in vielseitigen TO-247-4-, TO-247-4L- und TO-247AB-Gehäusen.

Micro Commercial Components (MCC) 600 V n-Kanal-MOSFETs

09.03.2024

- Die Super-Junction-Technologie (SJ) verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine integrierte schnelle Freilaufdiode.

Micro Commercial Components (MCC) SICWx Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

09.03.2024

- 650 V SiC-MOSFETs mit Hochgeschwindigkeits-Schaltfähigkeit und sind in einem TO-247-Gehäuse verfügbar.

Micro Commercial Components (MCC) MCP2D6N10Y 100-V-n-Kanal-MOSFET

08.28.2024

- 100-V-n-Kanal-MOSFET, der für Hochleistungsschaltungen ausgelegt ist.

Micro Commercial Components (MCC) 3,3-V-ESD-Dioden

08.27.2024

- Schützen bis zu acht Hochgeschwindigkeits-I/O-Leitungen mit vielseitigen SMD-Gehäusen.

Micro Commercial Components (MCC) MCG50P03B 30 V p-Kanal-MOSFET

08.19.2024

- Für platzbeschränkte Applikationen, die eine zuverlässige Leistung erfordern, ausgelegt.

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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02.05.2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

02.03.2026

- Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.

Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden

01.13.2026

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden

01.08.2026

- Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs

12.19.2025

- Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren

12.01.2025

- DTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11.24.2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

Bourns SMLJ-R Transientenspannungsschutzdioden

11.24.2025

- Für Überspannungs- und ESD-Schutz im kompakten DO-214AB Chip-Gehäusegrößenformat (SMC) entwickelt.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

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