Comchip Technology Neueste Dioden u. Gleichrichter
Angewendete Filter:
Comchip Technology CPDE5V0U ESD Protection Diode
10.31.2025
10.31.2025
The device offers a fast response time, low reverse clamping voltage, and a low leakage current.
Comchip Technology AUS1 Automotive Ultra Fast Recovery Rectifiers
10.31.2025
10.31.2025
These are available with a maximum peak repetitive reverse voltage (VRRM) of 600V, 800V, and 1000V.
Comchip Technology CPDE5V0 ESD Protection Diode
10.31.2025
10.31.2025
The device offers a fast response time, low reverse clamping voltage, and a low leakage current.
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
10.31.2025
10.31.2025
The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
10.31.2025
10.31.2025
The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.
Comchip Technology CDBKA20120L-HF Low VF Schottky Rectifier
08.23.2023
08.23.2023
Designed with soft and fast switching capacity with 120V reverse voltage and 20A forward current.
Comchip Technology CDBZC0140L-HF Schottky Diode
08.03.2023
08.03.2023
Designed with 40V reverse voltage (VR) and 100mA average rectified forward current (IO).
Comchip Technology CDBHA30100LR-HF Low VF Schottky Barrier Rectifier
06.13.2023
06.13.2023
Designed with 100V repetitive peak reverse voltage and 30A average forward rectified current.
Comchip Technology CDBHA10200LR-HF Low VF Schottky Barrier Rectifier
06.13.2023
06.13.2023
Designed with 200V repetitive peak reverse voltage and 10A average forward rectified current.
Comchip Technology BAS416-HF Fast Switching Diode
05.23.2023
05.23.2023
Features 85V repetitive peak reverse voltage, 250mW power dissipation, and 200mA forward current.
Comchip Technology BAS316-HF High-Speed Switching Diode
05.23.2023
05.23.2023
Features 100V repetitive peak reverse voltage, 200mW power dissipation, and 250mA forward current.
Comchip Technology BAS321-HF Fast Switching Diode
05.23.2023
05.23.2023
Features 250V repetitive peak reverse voltage, 250mW power dissipation, and 200mA forward current.
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EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
Littelfuse Sx4340L TVS-Diodenarrays
03.05.2026
03.05.2026
Bietet eine extrem niedrige Kapazität von 0,55 pF in einem platzsparenden SOD882-Gehäuse.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs
03.05.2026
03.05.2026
Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
Diotec Semiconductor GBI40M-T Single Phase Bridge Rectifier
03.03.2026
03.03.2026
Equipped with four diodes in a bridge configuration and protected against reverse assembly.
Diotec Semiconductor SB1100 Schottky Diode
03.03.2026
03.03.2026
Offer low voltage forward drop making it suitable for output rectification and polarity protection.
Diotec Semiconductor SL1MR13 Standard Recovery Rectifier
03.03.2026
03.03.2026
Features 1000V repetitive peak reverse voltage and 1A maximum average forward rectified current.
Diotec Semiconductor BAT54WT Schottky Diode
03.03.2026
03.03.2026
Designed for high-speed switching, low junction capacitance, and low leakage current.
Vishay 3KDFN12CA bis 3KDFN100CA TVS-Dioden
03.02.2026
03.02.2026
Die Transzorb® TVS-Dioden wurden zum Schutz empfindlicher Elektronik vor Spannungsspitzen entwickelt.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
02.26.2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
02.26.2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02.26.2026
02.26.2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Littelfuse SC3402-02ETG ESD-Schutzdiode
02.23.2026
02.23.2026
Eine ESD-Schutzdiode mit extrem niedriger Kapazität, die zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenschnittstellen entwickelt wurde.
Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
02.19.2026
02.19.2026
Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.
Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53 V EOS-Schutz-IC
02.18.2026
02.18.2026
Bietet Hochenergie-EOS-Schutz mit hervorragenden Temperatur- und Klemmeigenschaften.
Vishay SE45124/SE50124 SMD-Hochspannungs-Gleichrichter
02.17.2026
02.17.2026
Diese Bauteile zeichnen sich durch eine hervorragende Wärmeableitung und eine hohe Stoßstrombelastbarkeit aus.
Vishay KBPE0480 Single-In-Line-Brückengleichrichter
02.16.2026
02.16.2026
Diese Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall aus und sind im KBP-Gehäuse erhältlich.
Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD-Gleichrichter
02.10.2026
02.10.2026
Diese Bauteile sind in einem Flachgehäuse mit einer typischen Höhe von nur 0,88 mm erhältlich.
Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor
02.06.2026
02.06.2026
Hohes Betriebsverhalten 160 A, 1.600 V Gerät mit einem planar passivierten Chip-Aufbau im PLUS247 Gehäuse.
TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module
02.05.2026
02.05.2026
Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02.03.2026
02.03.2026
Designed for demanding power conversion applications
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02.03.2026
02.03.2026
Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02.03.2026
02.03.2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang
02.03.2026
02.03.2026
Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.
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