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Neueste Diskrete Halbleiter

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Arten von diskreten Halbleitern

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Vishay SE45124/SE50124 SMD-Hochspannungs-Gleichrichter

02.17.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch eine hervorragende Wärmeableitung und eine hohe Stoßstrombelastbarkeit aus.

Vishay KBPE0480 Single-In-Line-Brückengleichrichter

02.16.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall aus und sind im KBP-Gehäuse erhältlich.

Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD-Gleichrichter

02.10.2026

- Diese Bauteile sind in einem Flachgehäuse mit einer typischen Höhe von nur 0,88 mm erhältlich.

Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

02.03.2026

- Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 FRED Pt® Gleichrichter der 7. Gen.

06.03.2025

- 1200 V, 1 A oder 2 A Hyperschnelle Gleichrichter in einem SlimSMA-HV-Gehäuse (DO-221AC).

Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier

05.20.2025

- Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.

Vishay Glaspassivierte Einphasen-Brückengleichrichter

04.17.2025

- Ideal für AC/DC-Brücken-Vollwellen-Gleichrichtung für Monitore, Drucker und Adapterapplikationen.

Vishay PAR® Überspannungsschutzvorrichtungen zur Oberflächenmontage

04.17.2025

- Ideal für den Einsatz beim Schutz empfindlicher Elektronik gegen Spannungstransienten, die durch Blitzschlag hervorgerufen werden.

Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated Rectifiers

04.03.2025

- Offers current ratings from 1.0A to 5.0A and peak reverse voltages ranging from 400V to 1000V.

Vishay VS-EBU15006HN4 Ultraschnelle Sanft-Freilaufdiode

03.25.2025

- 150-A-Diode, die zur Reduzierung von Verlusten und EMI/RFI in Hochfrequenz-Leistungsregelungssystemen optimiert ist.

Vishay MAACPAK PressFit SiC MOSFET-Leistungsmodule

03.17.2025

- Ausgelegt, um den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit für Applikationen im mittleren bis hohen Frequenzbereich zu verbessern.

Vishay VGSOT ESD-Schutzdioden

03.14.2025

- Bieten einen niedrigen thermischen Widerstand sowie erweiterte Strom- und Leistungswerte in einem SOT-23-Gehäuse.

Vishay VS-SCx0BA120 SiC-Einphasen-Brückendioden

11.12.2024

- Robuste Hochleistungs-Komponenten für eine Leistungsumwandlung mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen.

Vishay SiJK5100E n-Kanal-MOSFET

11.11.2024

- TrenchFET® -Gen-V-Leistungs-MOSFET mit 100 V Drain-Source-Spannung und maximaler Verlustleistung von 536 W.

Vishay SiEH4800EW 80 V TrenchFET® Gen IV N-Kanal-MOSFET

10.25.2024

- Erhältlich in einem PowerPAK®-Gehäuse von 8 mm x 8 mm BWL mit einem On-Widerstand von 0,00115 Ω.

Vishay MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs

08.26.2024

- Bieten eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, 3 μs Kurzschlussfestigkeitszeit und 139 W maximalen Leistungsverlust.

Vishay T15Bx PAR® ESD-Schutzdioden

08.20.2024

- Verfügen über ein optimiertes Design mit Sperrschicht-Passivierung unter Verwendung der passivierten Anisotropen Gleichrichter-Technologie.

Vishay GBUE2580 Einphasen-Brückengleichrichter

08.20.2024

- Bietet eine einreihige Schaltungsanordnung mit niedrigem Durchlass-Spannungsabfall in einem GBU-Gehäuse.

Vishay SS30KH170/SS30KH170S Schottky-Barrieregleichrichter

08.20.2024

- Oberflächenmontierbare Gleichrichter mit hoher Stromdichte und einem extrem niedrigen Durchlass-Spannungsabfall.

Vishay SS20KH170 Schottky-Barrieregleichrichter

08.20.2024

- Oberflächenmontierbare Gleichrichter mit hoher Dichte und einer extrem niedrigen Durchlassspannung von 0,6 V bei IF = 5 A.

Vishay SE100PWTLK Oberflächenmontierbarer Standardgleichrichter mit niedrigem VF

08.20.2024

- Verfügt über eine Kriech- und Luftstrecke von 2,8 mm, ein sehr niedriges Profil und eine typische Höhe von 1,3 mm.

Vishay MRSE1PK Schnellschaltender Gleichrichter zur Oberflächenmontage

08.08.2024

- Ein 1 A, 800 V, schneller Mikro-Gleichrichter zur Oberflächenmontage, der sich ideal für die automatische Bestückung eignet.

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Filtern nach:

Littelfuse SC3402-02ETG ESD-Schutzdiode

02.23.2026

- Eine ESD-Schutzdiode mit extrem niedriger Kapazität, die zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenschnittstellen entwickelt wurde.

Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode

02.19.2026

- Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.

Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53 V EOS-Schutz-IC

02.18.2026

- Bietet Hochenergie-EOS-Schutz mit hervorragenden Temperatur- und Klemmeigenschaften.

Vishay SE45124/SE50124 SMD-Hochspannungs-Gleichrichter

02.17.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch eine hervorragende Wärmeableitung und eine hohe Stoßstrombelastbarkeit aus.

Vishay KBPE0480 Single-In-Line-Brückengleichrichter

02.16.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall aus und sind im KBP-Gehäuse erhältlich.

Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD-Gleichrichter

02.10.2026

- Diese Bauteile sind in einem Flachgehäuse mit einer typischen Höhe von nur 0,88 mm erhältlich.

Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor

02.06.2026

- Hohes Betriebsverhalten 160 A, 1.600 V Gerät mit einem planar passivierten Chip-Aufbau im PLUS247 Gehäuse.

TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module

02.05.2026

- Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

02.03.2026

- Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden

01.13.2026

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden

01.08.2026

- Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs

12.19.2025

- Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

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