Panasonic Neueste Diskrete Halbleiter
Arten von diskreten Halbleitern
Angewendete Filter:
Panasonic Automotive-Schaltungsschutz
01.18.2023
01.18.2023
NTC-Thermistoren, Mehrschicht-Varistoren und ESD-Entstörer, die für Fahrzeuganwendungen ausgelegt sind.
Ansicht: 1 - 1 von 1
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02.03.2026
02.03.2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02.03.2026
02.03.2026
Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang
02.03.2026
02.03.2026
Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02.03.2026
02.03.2026
Designed for demanding power conversion applications
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02.03.2026
02.03.2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02.02.2026
02.02.2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.20.2026
01.20.2026
15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit
01.20.2026
01.20.2026
600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.
Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.19.2026
01.19.2026
25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.
Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.19.2026
01.19.2026
7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden
01.13.2026
01.13.2026
Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.
Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden
01.08.2026
01.08.2026
Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.
onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET
12.26.2025
12.26.2025
Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs
12.23.2025
12.23.2025
Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.
Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs
12.19.2025
12.19.2025
Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.
onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET
12.19.2025
12.19.2025
Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs
12.04.2025
12.04.2025
Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
12.04.2025
12.04.2025
E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.
Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren
12.01.2025
12.01.2025
DTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.
onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET
11.25.2025
11.25.2025
Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8
11.25.2025
11.25.2025
Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.
Bourns SMLJ-R Transientenspannungsschutzdioden
11.24.2025
11.24.2025
Für Überspannungs- und ESD-Schutz im kompakten DO-214AB Chip-Gehäusegrößenformat (SMC) entwickelt.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11.24.2025
11.24.2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
11.24.2025
11.24.2025
Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.20.2025
11.20.2025
Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.
Ansicht: 1 - 25 von 1221