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Comchip Technology Neueste Diskrete Halbleiter

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Arten von diskreten Halbleitern

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Comchip Technology CPDE5V0U ESD Protection Diode

10.31.2025

- The device offers a fast response time, low reverse clamping voltage, and a low leakage current.

Comchip Technology AUS1 Automotive Ultra Fast Recovery Rectifiers

10.31.2025

- These are available with a maximum peak repetitive reverse voltage (VRRM) of 600V, 800V, and 1000V.

Comchip Technology CPDE5V0 ESD Protection Diode

10.31.2025

- The device offers a fast response time, low reverse clamping voltage, and a low leakage current.

Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.

Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.

Comchip Technology CDBKA20120L-HF Low VF Schottky Rectifier

08.23.2023

- Designed with soft and fast switching capacity with 120V reverse voltage and 20A forward current.

Comchip Technology CDBZC0140L-HF Schottky Diode

08.03.2023

- Designed with 40V reverse voltage (VR) and 100mA average rectified forward current (IO).

Comchip Technology CDBHA30100LR-HF Low VF Schottky Barrier Rectifier

06.13.2023

- Designed with 100V repetitive peak reverse voltage and 30A average forward rectified current.

Comchip Technology CDBHA10200LR-HF Low VF Schottky Barrier Rectifier

06.13.2023

- Designed with 200V repetitive peak reverse voltage and 10A average forward rectified current.

Comchip Technology BAS321-HF Fast Switching Diode

05.23.2023

- Features 250V repetitive peak reverse voltage, 250mW power dissipation, and 200mA forward current.

Comchip Technology BAS416-HF Fast Switching Diode

05.23.2023

- Features 85V repetitive peak reverse voltage, 250mW power dissipation, and 200mA forward current.

Comchip Technology BAS316-HF High-Speed Switching Diode

05.23.2023

- Features 100V repetitive peak reverse voltage, 200mW power dissipation, and 250mA forward current.

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Filtern nach:

Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD Rectifiers

02.10.2026

- These devices are available in a low-profile package with a typical height of only 0.88mm.

Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor

02.06.2026

- Leistungsstarke 160 A, 1.600 V, verfügt über eine planare passivierte Chipstruktur in einem Aufbau PLUS247 Gehäuse.

TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module

02.05.2026

- Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

02.03.2026

- Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.

Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden

01.13.2026

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden

01.08.2026

- Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs

12.19.2025

- Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren

12.01.2025

- DTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

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