Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Liechtenstein

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Arten von diskreten Halbleitern

Liste Bilder

Angewendete Filter:

Hersteller = onsemi Zurück zur Registerkarte Produkte zum Ändern Ihrer aktuellen Filter.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.20.2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

11.20.2025

- Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.

onsemi NZ8P Zener-Schutzdioden

11.19.2025

- Entwickelt, um empfindliche elektronische Bauteile vor ESD- und Transientenspannungsereignissen zu schützen.

onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.

onsemi AFGB30T65RQDN IGBT

11.19.2025

- Bietet eine hohe Gütezahl bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten.

onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.

onsemi NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Das Bauteil verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Gate-Schwelle und ist mit einer benetzbaren Flanke erhältlich.

onsemi NTK3139P P-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Erhältlich in einem Gehäuse mit einem 44 % kleineren Footprint und 38 % dünner als ein SC-89-Gehäuse.

onsemi AFGBG70T65SQDC N-Kanal-Field-Stop-IV-IGBT

10.13.2025

- Das Gerät bietet ein optimales Betriebsverhalten mit niedrigen Leitungs- und Schaltverlusten.

onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-Kanal Field-Stop-VII-IGBTs

10.13.2025

- Das Bauteil bietet ein gutes Betriebsverhalten mit niedriger Durchlassspannung und geringen Schaltverlusten.

onsemi T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs

10.06.2025

- Einzel-N-Kanal-MOSFETs in 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten und erhöhtem Systemwirkungsgrad.

onsemi MMQA/SZMMQA ESD-Schutzdioden

09.23.2025

- Diese Bauteile wurden für Applikationen entwickel, die einen Schutz vor transienten Überspannungen benötigen.

onsemi NSBAMXW PNP Vorspannungswiderstands-Transistoren

09.09.2025

- Entwickelt, um ein Einzelgerät und das zugehörige externe Widerstands-Vorspannungsnetz zu ersetzen.

onsemi NSBCMXW NPN-Vorspannungswiderstands-Transistoren

09.08.2025

- Entwickelt, um ein Einzelgerät und das zugehörige externe Widerstands-Vorspannungsnetz zu ersetzen.

onsemi NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.08.2025

- Robuste 20-V-890-mA-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, optimiert für hocheffiziente Schaltapplikationen.

onsemi SZMM3ZxT1G Zener-Spannungsregler für Fahrzeuganwendungen

09.05.2025

- Entwickelt für die Spannungsregelung und den Schutz in elektronischen Systemen von Kraftfahrzeugen.

onsemi NxJS3151P Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.04.2025

- Ideal für platzbeschränkte Designs, bei denen Leistungsdichte und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind.

onsemi SZMMSZ52xT1G Zener-Spannungsregler für Fahrzeuganwendungen

08.25.2025

- Entwickelt für präzise Spannungsregelung und Überspannungsschutz.

onsemi NXH600N10x 3-stufige NPC-Wechselrichtermodule

08.25.2025

- Leistungsmodule in F5BP enthalten einen dreistufigen Wechselrichter vom Typ I mit Neutralpunktklemmung.

onsemi MURS220/NRVUS220V/SURS8220 Leistungsgleichrichter

08.21.2025

- Entwickelt für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen, bei denen Effizienz und thermische Leistung kritisch sind.

Ansicht: 1 - 25 von 225

Filtern nach:

Texas Instruments TVS2210 Flat-Clamp Surge Protection Device

03.12.2026

- Designed to robustly shunt up to 25A of fault current to protect from transients or lightning.

Micro Commercial Components (MCC) BAT46L2 Schottky Diode

03.12.2026

- 150mW small-signal Schottky diode designed for high‑speed switching applications.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Littelfuse SP1120-01WTG Unidirectional Discrete TVS Diode

03.09.2026

- Proprietary silicon avalanche technology and offers high ESD protection for electronic equipment.

Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

03.09.2026

- Designed for demanding L‑Band applications, operating across the 1.0GHz to 1.5GHz frequency range.

Diotec Semiconductor BZX84B4V3-AQ Zener Diode

03.06.2026

- Features 4.3V nominal Zener voltage with ±2% tolerance and 3μA leakage current at 1V.

Diotec Semiconductor SIT04C065 SiC Schottky Diode

03.06.2026

- Supports a 650V repetitive peak reverse voltage and delivers a 4A average forward rectified current.

Diotec Semiconductor BZX84B20-AQ Zener Diode

03.06.2026

- Features 20V nominal Zener voltage, 0.050µA leakage current, and 55Ω dynamic resistance.

Diotec Semiconductor MMS3Z18BGW-AQ Zener Diode

03.06.2026

- Housed in a compact SOD‑323 surface‑mount package, providing a 300mW power dissipation.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03.06.2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Diotec Semiconductor MM3Z3V0-AQ Zener Diode

03.06.2026

- Offers a 300mW power dissipation rating and comes in a compact SOD‑323F surface‑mount package.

Diotec Semiconductor MM5Z6V8B-AQ Zener Diode

03.06.2026

- Housed in an ultra‑small SOD‑523 surface‑mount package and AEC‑Q101 qualified.

Diotec Semiconductor TPSMA6L20A-AQ TVS Diode

03.06.2026

- AEC‑Q101 qualified unidirectional diode built in compact SMAF (DO‑221AC) low‑profile package.

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs

03.05.2026

- Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.

EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

Littelfuse Sx4340L TVS-Diodenarrays

03.05.2026

- Bietet eine extrem niedrige Kapazität von 0,55 pF in einem platzsparenden SOD882-Gehäuse.

EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

Diotec Semiconductor BAT54WT Schottky Diode

03.03.2026

- Designed for high-speed switching, low junction capacitance, and low leakage current.

Diotec Semiconductor SL1MR13 Standard Recovery Rectifier

03.03.2026

- Features 1000V repetitive peak reverse voltage and 1A maximum average forward rectified current.

Diotec Semiconductor GBI40M-T Single Phase Bridge Rectifier

03.03.2026

- Equipped with four diodes in a bridge configuration and protected against reverse assembly.

Diotec Semiconductor SB1100 Schottky Diode

03.03.2026

- Offer low voltage forward drop making it suitable for output rectification and polarity protection.

Ansicht: 1 - 25 von 1230

Arten von diskreten Halbleitern

Filtern nach:

Kundenservice

Unternehmen

Ressourcen

Support