Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Liechtenstein

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Arten von diskreten Halbleitern

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Toshiba TPH2R70AR5 N-Kanal-MOSFET

10.17.2025

- Ideal für hocheffiziente DC/DC-Wandler und erhältlich im SOP Advance (N)-Gehäuse.

Toshiba XCEZ-Zenerdioden für Fahrzeuge

08.29.2025

- Mit einer Verlustleistung von 150 mW und 300 mW und AEC-Q101-Qualifikation.

Toshiba TRSx SiC Schottky-Barriere-Dioden

04.04.2025

- Diese SiC Schottky-Barriere-Dioden haben eine repetitive Spitzensperrspannung (VRRM) von 1200 V.

Toshiba L-TOGL und S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs

10.14.2024

- Untergebracht im L-TOGL™ Gehäuse, um der wachsenden Nachfrage nach 48 V Batterien in Fahrzeugen gerecht zu werden.

Toshiba TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs

09.13.2024

- Erhältlich in U-MOSX-H- und DTMOSVI-Ausführungen und bieten außergewöhnliche Leistungsmerkmale.

Toshiba TPH1400CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs

09.10.2024

- Verfügt über einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generation-Trench-Verfahren ausgelegt ist.

Toshiba TPH1100CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs

08.12.2024

- Verfügt über einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generations-Trench-Verfahren ausgelegt ist.

Toshiba UMOS9-H n-Kanal-Silizium-MOSFETs

05.13.2024

- Ideal für DC/DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, Schaltspannungsregler und Motortreiber.

Toshiba XCUZ Zenerdioden

01.23.2024

- Für die Verwendung in der Automobilindustrie ausgelegt, verfügt über eine Verlustleistung von 600 mW und ist AEC-Q101-qualifiziert.

Toshiba TRSx65H SiC-Schottky-Barriere-Dioden

07.26.2023

- Diese 650-V-Bauteile basieren auf der Technologie der dritten Generation, die Schottky-Metall verwendet.

Toshiba SSM14N956L MOSFET

06.09.2023

- Verfügt über einen niedrigen Source-to-Source-On-Widerstand und ist RoHS-kompatibel.

Toshiba XPQR3004PB 40 V 400 A Automotive-MOSFET

02.13.2023

- Bietet RDS(ON) von 0,23 mΩ (typisch) und Schwellenspannung (Vth) von 2 V bis 3 V, mit einer Fähigkeit von 400 A.

Toshiba CSLZ Zener-Dioden

11.21.2022

- In einem kleinen SL2-Gehäuse untergebracht.

Toshiba 650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation

07.11.2022

- Ausgelegt für Hochleistungs-Industrieapplikationen wie 400 V und 800 V AC-Eingang und AC-DC-Netzteile.

Toshiba TPH9R00CQH Silizium-N-Kanal MOSFET

03.23.2022

- Bietet hohe Schaltgeschwindigkeiten bei geringer Ausgangs- und Gate-Ladung in einem SOP-8-Gehäuse.

Toshiba GATE-Treiber + MOSFET für 5 V bis 24 V Leistungs-MUX

03.11.2022

- Bewältigt zahlreiche Herausforderungen beim Leistungs-Multiplexing und unterstützt 5-V- bis 24-V-Stromleitungen.

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Filtern nach:

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs

03.05.2026

- Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.

Diotec Semiconductor GBI40M-T Single Phase Bridge Rectifier

03.03.2026

- Equipped with four diodes in a bridge configuration and protected against reverse assembly.

Diotec Semiconductor SB1100 Schottky Diode

03.03.2026

- Offer low voltage forward drop making it suitable for output rectification and polarity protection.

Diotec Semiconductor BAT54WT Schottky Diode

03.03.2026

- Designed for high-speed switching, low junction capacitance, and low leakage current.

Diotec Semiconductor SL1MR13 Standard Recovery Rectifier

03.03.2026

- Features 1000V repetitive peak reverse voltage and 1A maximum average forward rectified current.

Vishay 3KDFN12CA bis 3KDFN100CA TVS-Dioden

03.02.2026

- Die Transzorb® TVS-Dioden wurden zum Schutz empfindlicher Elektronik vor Spannungsspitzen entwickelt.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02.26.2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Littelfuse SC3402-02ETG ESD-Schutzdiode

02.23.2026

- Eine ESD-Schutzdiode mit extrem niedriger Kapazität, die zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenschnittstellen entwickelt wurde.

Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode

02.19.2026

- Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.

Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53 V EOS-Schutz-IC

02.18.2026

- Bietet Hochenergie-EOS-Schutz mit hervorragenden Temperatur- und Klemmeigenschaften.

Vishay SE45124/SE50124 SMD-Hochspannungs-Gleichrichter

02.17.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch eine hervorragende Wärmeableitung und eine hohe Stoßstrombelastbarkeit aus.

Vishay KBPE0480 Single-In-Line-Brückengleichrichter

02.16.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall aus und sind im KBP-Gehäuse erhältlich.

Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD-Gleichrichter

02.10.2026

- Diese Bauteile sind in einem Flachgehäuse mit einer typischen Höhe von nur 0,88 mm erhältlich.

Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor

02.06.2026

- Hohes Betriebsverhalten 160 A, 1.600 V Gerät mit einem planar passivierten Chip-Aufbau im PLUS247 Gehäuse.

TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module

02.05.2026

- Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

02.03.2026

- Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

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