Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Liechtenstein

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Arten von diskreten Halbleitern

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IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse

10.08.2025

- Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.

IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs

09.19.2025

- Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].

IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V

08.27.2025

- Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.

IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen

04.14.2025

- Verfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.

IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden

04.03.2025

- Bietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.

IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul

03.25.2025

- Das 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.

IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET

03.17.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET

03.06.2025

- Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.

IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET

03.06.2025

- Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.

IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET

02.27.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET

02.27.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET

02.18.2025

- Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET

02.18.2025

- Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.

IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs

11.28.2024

- Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.

IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden

11.22.2024

- Zwei Universal-Leistungsschaltdioden in einer Konfiguration mit gemeinsamer Kathode und einem TO-247-Gehäuse.

IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.

07.25.2024

- Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.

IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter

07.22.2024

- Dieses Bauteil wird häufig als Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS) verwendet.

IXYS DSEP60-06AZ 600 V Schnelle 60 A Freilaufdiode

07.08.2024

- Eine leistungsstarke, verlustarme Einzeldiode mit Soft-Recovery in einem TO-268AA-Gehäuse (D3PAK-HV).

IXYS SRU6008DS2RP Empfindlicher SCR

02.19.2024

- Ein 600 V SCR mit hoher Vorwärtssperre, der sich hervorragend für Hochspannungs-Kondensatorentladungsapplikationen eignet.

IXYS MPA 95-06DA FRED-Module

01.18.2024

- Verfügen über planar passivierte chips und geringe Schaltverluste für Hochfrequenz-Schaltbauteile.

IXYS MCMA140P1600TA-NI Thyristormodule

01.18.2024

- Verfügt über planar passivierte Chips und einen direkten kupfergebundenen AI2O3-Keramik für Leitungsfrequenz.

IXYS DMA80I1600HA Einzeldioden-Gleichrichter

08.11.2022

- Verfügen über Planar-Passivierungs-Chips, einen niedrigen Ableitstrom und einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall.

IXYS STS802U2SRP Empfindliche 1,5-A-Doppel-SCRs

08.10.2022

- Bieten einen hohen statischen dv/dt mit einer niedrigen Ausschaltzeit (tq) und einem Ableitvermögen von bis zu 20 A.

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Filtern nach:

Diotec Semiconductor GBI40M-T Single Phase Bridge Rectifier

03.03.2026

- Equipped with four diodes in a bridge configuration and protected against reverse assembly.

Diotec Semiconductor SB1100 Schottky Diode

03.03.2026

- Offer low voltage forward drop making it suitable for output rectification and polarity protection.

Diotec Semiconductor SL1MR13 Standard Recovery Rectifier

03.03.2026

- Features 1000V repetitive peak reverse voltage and 1A maximum average forward rectified current.

Diotec Semiconductor BAT54WT Schottky Diode

03.03.2026

- Designed for high-speed switching, low junction capacitance, and low leakage current.

Vishay 3KDFN12CA thru 3KDFN100CA TVS Diodes

03.02.2026

- Transzorb® TVS diodes, designed to protect sensitive electronics from voltage spikes.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02.26.2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

Littelfuse SC3402-02ETG ESD-Schutzdiode

02.23.2026

- Eine ESD-Schutzdiode mit extrem niedriger Kapazität, die zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenschnittstellen entwickelt wurde.

Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode

02.19.2026

- Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.

Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53 V EOS-Schutz-IC

02.18.2026

- Bietet Hochenergie-EOS-Schutz mit hervorragenden Temperatur- und Klemmeigenschaften.

Vishay SE45124/SE50124 SMD-Hochspannungs-Gleichrichter

02.17.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch eine hervorragende Wärmeableitung und eine hohe Stoßstrombelastbarkeit aus.

Vishay KBPE0480 Single-In-Line-Brückengleichrichter

02.16.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall aus und sind im KBP-Gehäuse erhältlich.

Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD-Gleichrichter

02.10.2026

- Diese Bauteile sind in einem Flachgehäuse mit einer typischen Höhe von nur 0,88 mm erhältlich.

Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor

02.06.2026

- Hohes Betriebsverhalten 160 A, 1.600 V Gerät mit einem planar passivierten Chip-Aufbau im PLUS247 Gehäuse.

TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module

02.05.2026

- Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

02.03.2026

- Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

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