Neueste Diskrete Leistungsmodule

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ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul
Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul
04.02.2026
Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module
TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module
02.05.2026
Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.
Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ Trench-MOSFET-Module
Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ Trench-MOSFET-Module
10.09.2025
Verfügen über die PressFIT-Kontakttechnologie und einen integrierten NTC-Temperatursensor.
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA Fahrzeug Leistungsmodul
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA Fahrzeug Leistungsmodul
09.26.2025
Bietet eine Sixpack Topologie mit NTC für die DC/DC-Wandler Stufe des OBC in Elektrofahrzeugen.
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA Fahrzeug-Leistungsmodul
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA Fahrzeug-Leistungsmodul
09.26.2025
Bietet eine 3-Phasen 4-wire PFC -Topologie mit integriertem NTC für den OBC in Hybrid- & Elektrofahrzeugen.
onsemi NXH600N10x 3-stufige NPC-Wechselrichtermodule
onsemi NXH600N10x 3-stufige NPC-Wechselrichtermodule
08.25.2025
Leistungsmodule in F5BP enthalten einen dreistufigen Wechselrichter vom Typ I mit Neutralpunktklemmung.
SemiQ GEN3 1.200-V-SiC-MOSFET-Leistungsmodule
SemiQ GEN3 1.200-V-SiC-MOSFET-Leistungsmodule
08.11.2025
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
Infineon Technologies HybridPACK™ DSC-S-Module mit SiC-MOSFET und NTC
Infineon Technologies HybridPACK™ DSC-S-Module mit SiC-MOSFET und NTC
07.22.2025
Hochleistungsmodule  für anspruchsvolle Fahrzeuganwendungen.
Infineon Technologies EconoPACK™3 TRENCHSTOP™ IGBT 7 Module
Infineon Technologies EconoPACK™3 TRENCHSTOP™ IGBT 7 Module
07.01.2025
Kombiniert mit CoolSiC™-SCHOTTKY-Dioden und einem integrierten NTC für zuverlässige Temperaturüberwachung.  
onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)
onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)
06.23.2025
Hochintegrierte, kompakte Lösungen für eine effiziente und zuverlässige Motorsteuerung.
onsemi NXH015F120M3F1PTG Siliciumcarbid (SiC)-Modul
onsemi NXH015F120M3F1PTG Siliciumcarbid (SiC)-Modul
05.23.2025
Das Modul verfügt über eine 15 mΩ/1200V M3S SiC-MOSFET-Vollbrücke und einen Thermistor mit Al 2 O 3 DBC in einem F1-Gehäuse.
Wolfspeed YM Sixpack-Siliziumkarbid-Leistungsmodule
Wolfspeed YM Sixpack-Siliziumkarbid-Leistungsmodule
05.14.2025
Automotive-qualifizierte Module sind für eine nahtlose Designintegration und Langlebigkeit ausgelegt.
Infineon Technologies 62 mm C- Baureihe TRENCHSTOP IGBT7-Module
Infineon Technologies 62 mm C- Baureihe TRENCHSTOP IGBT7-Module
04.01.2025
Bietet Hochleistungsdichte und einen positiven Temperaturkoeffizient für Industrieapplikationen an.
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul
03.25.2025
Das 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.
Vishay MAACPAK PressFit SiC MOSFET-Leistungsmodule
Vishay MAACPAK PressFit SiC MOSFET-Leistungsmodule
03.17.2025
Ausgelegt, um den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit für Applikationen im mittleren bis hohen Frequenzbereich zu verbessern.
Vishay VS-VF Leistungs-MOSFETs aus Siliciumcarbid mit Einzelschalter
Vishay VS-VF Leistungs-MOSFETs aus Siliciumcarbid mit Einzelschalter
03.17.2025
Hochleistungsfähige SiC-MOSFETs, die ideal für Hochfrequenz- Applikationen geeignet sind.
Navitas Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules
Navitas Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules
02.20.2025
Robust, high-voltage SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications.
Micro Commercial Components (MCC) MIS80N120NT1YHE3 1.200-V-Trench-Field-Stop-IGBT
Micro Commercial Components (MCC) MIS80N120NT1YHE3 1.200-V-Trench-Field-Stop-IGBT
11.28.2024
Made for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
11.28.2024
Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.
Wolfspeed 2.300-V-Siliziumkarbid-Leistungsmodule
Wolfspeed 2.300-V-Siliziumkarbid-Leistungsmodule
10.08.2024
Diese Bauteile sind 2.300-V-Siliziumkarbid-Leistungsmodule ohne Basisplatte für V-Bus-Applikationen von 1.500 V.
onsemi NXH0xxP120M3F1 Siliziumkarbid(SiC)-Module
onsemi NXH0xxP120M3F1 Siliziumkarbid(SiC)-Module
08.28.2024
Enthält 8 mΩ, 10 mΩ, 15 mΩ und 30 mΩ/ 1200 V M3S MOSFETs, die auf der Halbbrücken-Topologie basieren.
onsemi NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT-Leistungsmodule
onsemi NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT-Leistungsmodule
08.26.2024
1.200 V, 800 A eingestuftes Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul, ideal für Motor-/Servo-/Solarantriebe und USV.
onsemi NVVR26A120M1WSx Siliziumkarbid(SiC)-Module
onsemi NVVR26A120M1WSx Siliziumkarbid(SiC)-Module
08.14.2024
Teil von VE-Trac™ hochintegrierte B2-SiC-Leistungsmodule für EV/HEV-Traktionswechselrichter-Applikationen.
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