Microchip Neueste IGBTs
Angewendete Filter:
Ihre Suche in „Neueste Produkte“ lieferte keine Ergebnisse.
Bitte ändern Sie Ihre Filter und versuchen Sie es nochmal.
Bitte ändern Sie Ihre Filter und versuchen Sie es nochmal.
Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren
12.01.2025
12.01.2025
DTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
11.19.2025
11.19.2025
Bietet eine hohe Gütezahl bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten.
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-Kanal Field-Stop-VII-IGBTs
10.13.2025
10.13.2025
Das Bauteil bietet ein gutes Betriebsverhalten mit niedriger Durchlassspannung und geringen Schaltverlusten.
onsemi AFGBG70T65SQDC N-Kanal-Field-Stop-IV-IGBT
10.13.2025
10.13.2025
Das Gerät bietet ein optimales Betriebsverhalten mit niedrigen Leitungs- und Schaltverlusten.
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2
05.22.2025
05.22.2025
Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.
ROHM Semiconductor RGE-Field-Stop-Trench-IGBTs
01.15.2025
01.15.2025
Zeichnet sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und einen geringen Schaltverlust aus.
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit Diode
12.24.2024
12.24.2024
Kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrücken-Topologie.
ROHM Semiconductor RGA80Tx 1.200 Vn-Field-Stop-Trench-IGBTs
10.17.2024
10.17.2024
Diese verfügen über einen geringen Schalt- und Leitungsverlust und eignen sich hervorragend für elektrische Kompressoren und HV-Heizgeräte.
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT
09.12.2024
09.12.2024
Mit einem fortschrittlichen Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT
09.12.2024
09.12.2024
Mit einem fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
07.25.2024
07.25.2024
Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.
Infineon Technologies IGBT-EDT2-Einzelbauelemente für die Fahrzeugtechnik
07.19.2024
07.19.2024
750-V-IGBT-Technologie, die die Energieeffizienz für Anwendungen in der Fahrzeugtechnik verbessert.
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe
07.03.2024
07.03.2024
1200 V, 40 A, verlustarm, niedriger thermischer Widerstand und in einem TO-247-Gehäuse mit langer Anschlussleitung erhältlich.
onsemi AFGHxL40T Automobilstandard-IGBTs
06.12.2024
06.12.2024
AEC-Q101-qualifiziert und verwendet eine robuste Field-Stop-VII-Trench-Bauweise.
onsemi FGB5065G2-F085 EcoSPARK® 2 HV-HE IGBT
06.04.2024
06.04.2024
650-V-n-Kanal-Zündbauteil für PTC-Heizgeräte und Hochstrom-Systemapplikationen.
Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT Transistors
04.24.2024
04.24.2024
Include a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology in a TO-247 package.
PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs
04.12.2024
04.12.2024
Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.
onsemi AFGHL50T65RQDN 650 V 50 A IGBT
03.01.2024
03.01.2024
Field-Stop-IGBT der 4. Generation mit innovativer Technologie.
onsemi Wärmepumpen
03.01.2024
03.01.2024
Die Wärmepumpe steht als Eckpfeiler des globalen Wandels hin zu einer sicheren und nachhaltigen Erwärmung.
onsemi FGY4LxxT120SWD n-Kanal-1.200-V-IGBTs
02.07.2024
02.07.2024
Die Bauteile verwenden die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie der 7. Generation und die Gen7-Diode.
Bourns Elektrifizierungslösungen
12.20.2023
12.20.2023
Transformatoren, Drosseln, Widerstände und andere Produkte, die für Systeme, die in der Elektrifizierung verwendet werden, ausgelegt sind.
onsemi FGHL40T120RWD 1200 V Diskreter 40 A-IGBT
11.29.2023
11.29.2023
Verwendet die IGBT-Technologie der 7. Generation und ist in einem TO247-Gehäuse mit 3 Anschlüssen untergebracht.
onsemi FGHL60T120RWD 1200 V Diskreter 60 A-IGBT
11.29.2023
11.29.2023
Verwendet fortschrittliche IGBT-Technologie der 7. Generation und ist in einem TO247-Gehäuse 3 Anschlüssen untergebracht.
onsemi AFGHxL25T n-Einkanal-1.200-V-25-A-IGBTs
11.22.2023
11.22.2023
Diese Bauteile zeichnen sich durch eine robuste und kostengünstige Field-Stop-VII-Trench-Bauweise aus.
onsemi FGY140T120SWD 1200 V Schneller diskreter 140 A-IGBT
11.13.2023
11.13.2023
Ausgestattet mit fortschrittlicher IGBT-Technologie der 7. Generation.
Ansicht: 1 - 25 von 48
