Microchip Neueste JFETs

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onsemi TF412 n-Kanal-JFET
onsemi TF412 n-Kanal-JFET
03.05.2025
Für Niederfrequenz-Universalverstärker und Impedanzwandler-Applikationen.
onsemi Combo-FETs
onsemi Combo-FETs
11.26.2024
Bauteile, die einen SiC-JFET mit niedrigem RDS(on) und einen Si-MOSFET in einem einzigen, kompakten Gehäuse kombinieren.
InterFET IFN201 und IFN202 40-V-n-Kanal-JFETs mit niedriger Ciss
InterFET IFN201 und IFN202 40-V-n-Kanal-JFETs mit niedriger Ciss
10.28.2024
Feature low gate leakage, low input capacitance (Ciss), and high radiation tolerance.
InterFET IFN160 50 V n-Kanal-JFETs mit niedriger Ciss
InterFET IFN160 50 V n-Kanal-JFETs mit niedriger Ciss
10.28.2024
Verfügen über einen niedrigen Gate-Ableitstrom, eine niedrige Grenzspannung und eine niedrige Eingangskapazität (Ciss).
onsemi UJ4N Normalerweise eingeschalteter SiC-JFET-Transistor von 750 V, 4,3 mΩ
onsemi UJ4N Normalerweise eingeschalteter SiC-JFET-Transistor von 750 V, 4,3 mΩ
10.24.2024
Dieser JFET weist einen extrem niedrigen On-Widerstand (RDS(on)) in einem kompakten TOLL-Gehäuse auf.
onsemi UG4SC Kombi-FETs von 750 V, 8,4 mΩ
onsemi UG4SC Kombi-FETs von 750 V, 8,4 mΩ
10.07.2024
Kombiniert einen SiC-JFET von 750 V und einen Si-MOSFET mit niedriger Spannung in einem einzelnen TO-247-4L-Gehäuse.
onsemi UF3N120007K4S JFET N-Kanal-Transistor mit 1.200 V
onsemi UF3N120007K4S JFET N-Kanal-Transistor mit 1.200 V
09.19.2024
Dieses Gerät weist einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand [RDS(ON)] in einem TO247-4-Gehäuse auf.
Linear Integrated Systems Low Noise Dual N-Channel JFETs
Linear Integrated Systems Low Noise Dual N-Channel JFETs
09.21.2023
Wideband, high gain, monolithic dual, N-channel JFETs that are pin-for-pin replacements.
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