Neueste HF-Transistoren

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Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
05.15.2025
Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
05.15.2025
170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
Mini-Circuits TAV1 Transistors
Mini-Circuits TAV1 Transistors
12.01.2023
Designed with highly repeatable D-pHEMT and E-pHEMT technology in a small 1.4mm x 1.2mm package.
CEL Low Noise FETs & ICs
CEL Low Noise FETs & ICs
07.09.2023
Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.
Nexperia SOT323 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte
Nexperia SOT323 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte
07.26.2022
Oberflächenmontierbares Kunststoffgehäuse mit 3 Anschlüssen, 1,3 mm Raster, 2 mm x 1,25 mm x 0,95 mm Gehäuse.
Nexperia SOT23 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte
Nexperia SOT23 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte
07.26.2022
In einem oberflächenmontierbaren Kunststoffgehäuse mit drei Anschlüssen enthalten: 1,9 mm Raster, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm.
Qorvo QPD2060D 600 µm Diskreter GaAs pHEMT
Qorvo QPD2060D 600 µm Diskreter GaAs pHEMT
04.19.2022
Bietet eine Ausgangsleistung von 28 dBm bei 1 dB, eine gain von 12 dB und einen leistungsverstärkenden Wirkungsgrad von 55 % bei 1 dB.
Qorvo QPD2120D 1200 µm Diskreter GaAs pHEMT
Qorvo QPD2120D 1200 µm Diskreter GaAs pHEMT
04.19.2022
Bietet eine Ausgangsleistung von 31 dBm bei P1 dB, 11,5 dB Verstärkung und 57 % Leistungszusatz-Wirkungsgrad bei 1 dB.
Qorvo QPD2160D 1.600 µm diskreter GaAs-pHEMT
Qorvo QPD2160D 1.600 µm diskreter GaAs-pHEMT
04.19.2022
Bietet 32,5 dBm Ausgangsleistung bei P1 dB, 10,4 dB Verstärkung und 63 % Leistungszusatz-Wirkungsgrad bei 1 dB.
Qorvo QPD2080D 800 µm diskreter GaAs-pHEMT
Qorvo QPD2080D 800 µm diskreter GaAs-pHEMT
04.19.2022
Bietet 29,5 dBm Ausgangsleistung bei P1 dB, 11,5 dB Verstärkung und 56 % Leistungszusatz-Wirkungsgrad bei 1 dB.
Qorvo QPD2018D 180um Diskretes GaAs-pHEMT-Plättchen
Qorvo QPD2018D 180um Diskretes GaAs-pHEMT-Plättchen
02.14.2022
Verwendet Qorvos bewährten Standard 0,25um Power-pHEMT-Produktionsprozess.
Qorvo QPD2025D 250um Diskretes GaAs-pHEMT-Plättchen
Qorvo QPD2025D 250um Diskretes GaAs-pHEMT-Plättchen
02.14.2022
Entwickelt mit Qorvos bewährtem Standard 0,25 um Power-pHEMT-Produktionsprozess.
Qorvo QPD2040D 400um Diskretes GaAs-pHEMT-Plättchen
Qorvo QPD2040D 400um Diskretes GaAs-pHEMT-Plättchen
02.14.2022
Entwickelt mit Qorvos bewährtem Standard 0,25um Power-pHEMT-Produktionsprozess.
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