Signalinduktivitäten

TDK Signalinduktivitäten werden mit hochmoderner Mehrschichtverarbeitungs- und Drahtwickel-Technik hergestellt. Bei der Drahtwickel-Technik wird ein luftspaltloser Magnetkreis mit hohem Wirkungsgrad und Ferritpartikeln mit hoher Permeabilität verwendet, um niedrigere Rdc-Werte und einen geringeren Stromverbrauch zu ermöglichen. TDK Signalinduktivitäten sind für den Einsatz in zahlreichen Applikationen geeignet, die von mobilen Geräten und Verbraucherelektronik bis hin zu verschiedenen Arten von Automotive-Ausrüstungen und -Systemen reichen.

Arten von Induktivitäten, Drosseln und Spulen
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Induktivität
Abweichungstoleranz
Maximaler Gleichstrom (DC)
Montage
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
TDK HF-Induktivitäten – SMD 330nH 750mohms 100mA +/-20% Fer AEC-Q200
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Rolle: 4’000

330 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.39 H, 850mO
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Rolle: 4’000

390 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD 390nH 850mohms 100mA +/-20% Fer AEC-Q200
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Rolle: 4’000

390 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 560nH 1.05ohms 100mA +/-10% Fer AEC-Q200
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Rolle: 4’000

560 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 560nH 1.05ohms 100mA +/-20% Fer AEC-Q200
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560 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 680nH 1.25ohms 70mA +/-10% Fer AEC-Q200
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680 nH 10 % 70 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 820nH 1.4ohms 70mA +/-20% Fer AEC-Q200
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Vorlaufzeit 15 Wochen
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Rolle: 4’000

820 nH 20 % 70 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 10mA, 10 H, 1.7O
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10 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD 12uH 1.8ohms 10mA +/-20% Fer AEC-Q200
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
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12 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 15mA, 5.6 H, 1.1O
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5.6 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 15mA, 6.8 H, 1.3O
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6.8 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 10mA, 8.2 H, 1.5O
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8.2 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD 1.0uH 300mohms 80mA +/-5% Fer AEC-Q200
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1 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 1.2uH 350mohms 80mA +/-10% Fer AEC-Q200
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1.2 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 80mA, 1.2 H, 350mO
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1.2 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD 1.2uH 350mohms 80mA +/-20% Fer AEC-Q200
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1.2 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 80mA, 1.5 H, 400mO
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
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Rolle: 4’000

1.5 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD 1.5uH 400mohms 80mA +/-20% Fer AEC-Q200
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
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1.5 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 1.8uH 450mohms 80mA +/-5% Fer AEC-Q200
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
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1.8 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 80mA, 1.8 H, 450mO
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1.8 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD 2.7uH 550mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200
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Rolle: 2’000

2.7 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 50mA, 2.7 H, 550mO
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Rolle: 2’000

2.7 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD 2.7uH 550mohms 50mA +/-20% Fer AEC-Q200
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
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Rolle: 2’000

2.7 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 3.3uH 600mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200
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Rolle: 2’000

3.3 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK HF-Induktivitäten – SMD 3.3uH 600mohms 50mA +/-20% Fer AEC-Q200
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
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Rolle: 2’000

3.3 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200