DSC1001 Präzisions-CMOS-Oszillatoren für geringe Stromstärken

Die Präzisions-CMOS-Oszillatoren DSC1001 für geringe Stromstärken von Microchip sind MEMS-basierte Silizium-CMOS-Oszillatoren. Diese Oszillatoren bieten eine hervorragende Jitter- und Stabilitätsleistung über einen weiten Bereich von Versorgungsspannungen und Temperaturen. Jedes Bauteil arbeitet von 1 bis 150 MHz mit Versorgungsspannungen zwischen 1,8 und 3,3 V und Temperaturbereichen von bis zu -40° C bis 105° C. Der DSC1001 verfügt über einen Silizium-Resonator, der extrem robust und nahezu immun gegen stressbedingte Frakturen ist, die für kristallbasierte Oszillatoren üblich sind. Ohne Einbußen bei der Leistungsfähigkeit und Stabilität, die heutige Systeme erfordern, ermöglicht ein quarzfreies Design ein höheres Maß an Zuverlässigkeit. Dadurch eignen sich diese Oszillatoren ideal für robuste, industrielle und tragbare Applikationen, bei denen Belastung, Stöße und Erschütterungen quarzkristallbasierte Systeme beschädigen können.
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Frequenzstabilität
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Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
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Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
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DFN-4 8 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

DFN-4 16 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
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DFN-4 32.768 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
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DFN-4 32.768 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
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Min.: 1
Mult.: 1

DFN-4 33.3333 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
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Rolle: 1'000

DFN-4 33.3333 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
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Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

DFN-4 49.152 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
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DFN-4 2.048 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 3.6864MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
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Min.: 1'000
Mult.: 1'000
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DFN-4 3.6864 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
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Min.: 1
Mult.: 1

DFN-4 12.288 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
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Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

DFN-4 12.288 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 600
Mult.: 25

DFN-4 1 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
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DFN-4 1 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

DFN-4 20 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

DFN-4 16 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

DFN-4 25 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
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Min.: 350
Mult.: 25

DFN-4 16.7772 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

DFN-4 16.7772 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 350
Mult.: 25

DFN-4 66 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

DFN-4 66 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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Min.: 648
Mult.: 648

CDFN-4 14.3182 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

CDFN-4 14.3182 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 648
Mult.: 648

CDFN-4 14.7456 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

CDFN-4 14.7456 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 648
Mult.: 648

CDFN-4 26 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001