DSC1001 Präzisions-CMOS-Oszillatoren für geringe Stromstärken

Die Präzisions-CMOS-Oszillatoren DSC1001 für geringe Stromstärken von Microchip sind MEMS-basierte Silizium-CMOS-Oszillatoren. Diese Oszillatoren bieten eine hervorragende Jitter- und Stabilitätsleistung über einen weiten Bereich von Versorgungsspannungen und Temperaturen. Jedes Bauteil arbeitet von 1 bis 150 MHz mit Versorgungsspannungen zwischen 1,8 und 3,3 V und Temperaturbereichen von bis zu -40° C bis 105° C. Der DSC1001 verfügt über einen Silizium-Resonator, der extrem robust und nahezu immun gegen stressbedingte Frakturen ist, die für kristallbasierte Oszillatoren üblich sind. Ohne Einbußen bei der Leistungsfähigkeit und Stabilität, die heutige Systeme erfordern, ermöglicht ein quarzfreies Design ein höheres Maß an Zuverlässigkeit. Dadurch eignen sich diese Oszillatoren ideal für robuste, industrielle und tragbare Applikationen, bei denen Belastung, Stöße und Erschütterungen quarzkristallbasierte Systeme beschädigen können.
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Frequenzstabilität
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Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
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CDFN-4 72 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
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CDFN-4 72 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 420
Mult.: 420

CDFN-4 87.0655 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
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CDFN-4 87.0655 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
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CDFN-4 96 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
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CDFN-4 96 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
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CDFN-4 120 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
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CDFN-4 120 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
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Rolle: 1'000

CDFN-4 50 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C AEC-Q100 DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 3.57MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm
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DFN-4 3.57 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 3.57MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
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DFN-4 3.57 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 7.5MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm
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Min.: 1
Mult.: 1
DFN-4 7.5 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 7.5MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm
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Mult.: 1'000
Rolle: 1'000
DFN-4 7.5 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 26.5939MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm
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Mult.: 1'000
Rolle: 1'000
DFN-4 26.5939 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator, Low Power 50ppm
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Min.: 1
Mult.: 1

DFN-4 66.666 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator, Low Power 50ppm
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Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

DFN-4 66.666 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 75MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

DFN-4 75 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 20.48MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
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Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

DFN-4 20.48 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 100MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
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Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

DFN-4 100 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 125MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
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Mult.: 1
DFN-4 125 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 125MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
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Mult.: 1'000
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DFN-4 125 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 3.6864MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
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DFN-4 3.6864 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 650
Mult.: 25

DFN-4 13.1072 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 650
Mult.: 25

DFN-4 20 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 650
Mult.: 25

DFN-4 24.576 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001