DSC1001 Präzisions-CMOS-Oszillatoren für geringe Stromstärken

Die Präzisions-CMOS-Oszillatoren DSC1001 für geringe Stromstärken von Microchip sind MEMS-basierte Silizium-CMOS-Oszillatoren. Diese Oszillatoren bieten eine hervorragende Jitter- und Stabilitätsleistung über einen weiten Bereich von Versorgungsspannungen und Temperaturen. Jedes Bauteil arbeitet von 1 bis 150 MHz mit Versorgungsspannungen zwischen 1,8 und 3,3 V und Temperaturbereichen von bis zu -40° C bis 105° C. Der DSC1001 verfügt über einen Silizium-Resonator, der extrem robust und nahezu immun gegen stressbedingte Frakturen ist, die für kristallbasierte Oszillatoren üblich sind. Ohne Einbußen bei der Leistungsfähigkeit und Stabilität, die heutige Systeme erfordern, ermöglicht ein quarzfreies Design ein höheres Maß an Zuverlässigkeit. Dadurch eignen sich diese Oszillatoren ideal für robuste, industrielle und tragbare Applikationen, bei denen Belastung, Stöße und Erschütterungen quarzkristallbasierte Systeme beschädigen können.
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Menge RoHS Verpackung/Gehäuse
Frequenz
Frequenzstabilität
Ladekapazität
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Ausgabeformat
Nennstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 33.333MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 648
Mult.: 648
CDFN-4 33.333 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 27.12MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 648
Mult.: 648
CDFN-4 27.12 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 60MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 648
Mult.: 648
CDFN-4 60 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 3.5MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 660
Mult.: 660
CDFN-4 3.5 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 16MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 770
Mult.: 770
CDFN-4 16 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 120MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 660
Mult.: 660
CDFN-4 120 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 75MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 550
Mult.: 25
CDFN-4 75 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 660
Mult.: 660
CDFN-4 24 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 29.4912MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 660
Mult.: 660
CDFN-4 29.4912 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 33.33MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 660
Mult.: 660
CDFN-4 33.33 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 38.4MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 770
Mult.: 770
CDFN-4 38.4 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 9.6MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 660
Mult.: 660
CDFN-4 9.6 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 33.3333MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 660
Mult.: 660
CDFN-4 33.3333 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 148.5MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 550
Mult.: 25
CDFN-4 148.5 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 66.6666MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 660
Mult.: 660
CDFN-4 66.6666 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 80MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 550
Mult.: 25
CDFN-4 80 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 120MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 550
Mult.: 25
CDFN-4 120 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 6.144MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 660
Mult.: 660
CDFN-4 6.144 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 40MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 840
Mult.: 840
CDFN-4 40 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 44MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 840
Mult.: 840
CDFN-4 44 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 150MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 700
Mult.: 25
CDFN-4 150 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 6.14MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 700
Mult.: 25
CDFN-4 6.14 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 85MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 700
Mult.: 25
CDFN-4 85 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 700
Mult.: 25
CDFN-4 12.288 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 75MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-4 75 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001