Abgeschirmte Einzelspulen-Leistungsinduktivitäten

Würth Elektronik bietet eine große Auswahl von abgeschirmten Einzelspulen-Induktivitäten. Diese Induktivitäten sind in Ausführungen mit hohem Sättigungsstrom, niedrigem Profil, niedrigem DC-Widerstand (RDC), hohe Leistungsfähigkeit, Robustheit, SMT und Standard verfügbar. Die abgeschirmten Einzelspulen-Leistungsinduktivitäten von Würth Elektronik sind häufig für den Einsatz in DC/DC-Wandlern ausgelegt und verfügen über ein robustes Design für fortschrittliche Applikationen.

Arten von Induktivitäten, Drosseln und Spulen
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Induktivität
Abweichungstoleranz
Maximaler Gleichstrom (DC)
Montage
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD3 SMD Indctr S 1uH 3A .04Ohm
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1 uH 20 % 3 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD 22uH 1.35A DCR=250mOhms AEC-Q200
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22 uH 25 % 1.35 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD2SR 15uH 2.3A DCR=60mOhms AEC-Q200
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15 uH 20 % 2.3 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-LQS 4.7uH 1.3A DCR=96mOhms AEC-Q200
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Rolle: 2'000

4.7 uH 20 % 1.3 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-LQS 220uH 250mA DCR=3.45Ohms AEC-Q200
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Rolle: 3'000

220 uH 20 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-HCI 5.6uH 4.5A DCR=28.5mOhms AEC-Q200
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5.6 uH 20 % 4.5 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-LHMI Powr SMD7030 5.6uH 3.6A 48mOhm
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5.6 uH 20 % 3.6 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD 22uH 1.7A DCR=133mOhms AEC-Q200
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22 uH 20 % 1.7 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD 470uH 600mA DCR=1.1Ohms AEC-Q200
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470 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200

Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD 100uH 620mA DCR=790mOhms AEC-Q200
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100 uH 20 % 620 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD 10uH 1.9A DCR=125mOhms AEC-Q200
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10 uH 25 % 1.9 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik 74479276147
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PMCI 0806 0.47uH 6.3A 30mOhms 20%Tol AEC-Q200
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470 nH 20 % 5.4 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-TPC 2828 1.2uH 2.60A .036Ohm
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1.2 uH 20 % 2.6 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-TPC 1038 47uH 1.75A .132Ohm
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Rolle: 800

47 uH 30 % 1.75 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-HCI 2uH 6.5A DCR=14.2mOhms AEC-Q200
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Rolle: 1'500

2 uH 20 % 6.5 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-LHMI Powr SMD4012 10uH 1.2A 463mOhm
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10 uH 20 % 1.2 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD3 PWR Inductor 4.7uH 1.4A 0.06ohm
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Rolle: 500

4.7 uH 20 % 1.4 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD 330uH 1.1A DCR=640mOhms AEC-Q200
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Rolle: 500

330 uH 20 % 1.1 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD 1 mH 660mA DCR=1.09Ohms AECQ200
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Rolle: 500

1 mH 20 % 660 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD 1 mH 200mA DCR=9.44Ohms AEC-Q200
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1 mH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD 4.7uH 2.8A DCR=65mOhms AEC-Q200
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4.7 uH 25 % 2.8 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-MAIA SMD 4020 5.6 uH 3.85A 81mOhms AEC-
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Rolle: 1'000

5.6 uH 20 % 3.85 A SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-LQS 22uH 1.15A DCR=225mOhms AEC-Q200
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22 uH 20 % 1.15 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-LQFS 4828 22uH 1.23A
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4'550Auf Lager
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Rolle: 2'000

22 uH 20 % 1.23 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-LHMI Powr SMD7030 1.8uH 6.8A 17mOhm
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Rolle: 1'000

1.8 uH 20 % 6.8 A SMD/SMT + 125 C